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J-GLOBAL ID：201702268538979944   整理番号：17A1170241

Graphene/Pb(Zr,Ti)O_3強誘電体電界効果トランジスタにおける偏光依存電子輸送【Powered by NICT】

Polarization-Dependent Electronic Transport in Graphene/Pb(Zr,Ti)O₃ Ferroelectric Field-Effect Transistors

著者 (8件)： Lipatov Alexey (Department of Chemistry, University of Nebraska-Lincoln, Lincoln, NE, 68588, USA) ,  Fursina Alexandra (Department of Chemistry, University of Nebraska-Lincoln, Lincoln, NE, 68588, USA) ,  Vo Timothy H. (Department of Chemistry, University of Nebraska-Lincoln, Lincoln, NE, 68588, USA) ,  Sharma Pankaj (Department of Physics and Astronomy, University of Nebraska-Lincoln, Lincoln, NE, 68588, USA) ,  Gruverman Alexei (Department of Physics and Astronomy, University of Nebraska-Lincoln, Lincoln, NE, 68588, USA) ,  Gruverman Alexei (Nebraska Center for Materials and Nanoscience, University of Nebraska-Lincoln, Lincoln, NE, 68588, USA) ,  Sinitskii Alexander (Department of Chemistry, University of Nebraska-Lincoln, Lincoln, NE, 68588, USA) ,  Sinitskii Alexander (Nebraska Center for Materials and Nanoscience, University of Nebraska-Lincoln, Lincoln, NE, 68588, USA)
資料名： Advanced Electronic Materials  (Advanced Electronic Materials)
巻： 3  号： 7  ページ： ROMBUNNO.201700020  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2482A  ISSN： 2199-160X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 無機ペロブスカイト基板上にグラフェンを用いた強誘電体電界効果トランジスタ(FeFETs)は,それらの興味深い電子と記憶特性のためにかなりの関心を受けている。それらは強誘電分極ヒステリシスと一致しないことを電子輸送の異常なヒステリシスを示すことが知られており,以前にグラフェン強誘電体界面での電荷トラップと関連していることを示した。,電荷トラップの影響を最小化し,グラフェンPb(Zr,Ti)O_3FeFETにおける電子輸送の偏光依存ヒステリシスを明らかにする電気測定法を実証した。グラフェンにおける強誘電分極と電荷キャリア間の相互作用の基本的理解に重要である偏光依存伝導率ヒステリシスの観測。このヒステリシスは,不揮発性メモリの動作をエミュレートとONの範囲と長期データ蓄積における達成できることをオフ電流を明らかにするため,実用的なメモリ応用のためにも重要である。はこの測定法を5以上の不揮発性時間に依存しないオン/オフ比を示すことができることをグラフェン-PZT FeFETのメモリ性能を最適化するために使用できることを実証した。記述した測定法は他の2D材料と種々の強誘電体基板から成るFeFET素子の電荷トラップ散逸,偏光依存特性,および記憶性能の動力学の研究に使用できる可能性がある。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電気測定 ,  グラフェン ,  不揮発性メモリ ,  *強誘電体 ,  *FET【トランジスタ】 ,  界面 ,  *偏光 ,  非揮発性 ,  ヒステリシス ,  データ蓄積 ,  最適化
準シソーラス用語： 電荷捕獲 ,  強誘電分極 ,  *電子輸送 ,  *FeFET , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 強誘電体メモリ ,  電界効果トランジスタ ,  グラフェン ,  ヒステリシス ,  チタン酸ジルコニウム酸鉛

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： Pb ,  Zr ,  Ti ,  強誘電体電界効果トランジスタ ,  偏光 ,  電子輸送