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J-GLOBAL ID：201702268540420130   整理番号：17A1357653

短チャネル二重ゲートMOSFETのしきい値電圧に及ぼすRDF効果の解析的モデリング【Powered by NICT】

Analytical modeling of RDF effects on the threshold voltage in short-channel double-gate MOSFETs

著者 (7件)： Graef Michael (Competence Centre for Nanotechnology and Photonics, Technische Hochschule Mittelhessen, Giessen, Germany) ,  Hain Franziska (Competence Centre for Nanotechnology and Photonics, Technische Hochschule Mittelhessen, Giessen, Germany) ,  Hosenfeld Fabian (Competence Centre for Nanotechnology and Photonics, Technische Hochschule Mittelhessen, Giessen, Germany) ,  Horst Fabian (Competence Centre for Nanotechnology and Photonics, Technische Hochschule Mittelhessen, Giessen, Germany) ,  Farokhnejad Atieh (Competence Centre for Nanotechnology and Photonics, Technische Hochschule Mittelhessen, Giessen, Germany) ,  Iniguez Benjamin (DEEEA, Universitat Rovira i Virgili, Tarragona, Spain) ,  Kloes Alexander (Competence Centre for Nanotechnology and Photonics, Technische Hochschule Mittelhessen, Giessen, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： MIXDES  ページ： 127-131  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体素子の大規模なスケーリングはデバイス性能を向上させるための最も好ましい方法である。は14nmまでのチャネル長[1]を有する新しい超低電力素子を可能にした。この小さな次元Inドーピングプロファイルの離散化はデバイス電流に及ぼす影響を,すなわちランダムドーパントゆらぎ(RDF)。,これらのデバイスを作製する観点から変動の話題がますます重要になってきている。本論文の解析に及ぼす模擬はドーピング離散化と製造公差に関するこの新しい次元領域に発生する変動問題に関するより深い洞察を与えるはずである。MOSFETデバイスのσv_th RDFベースしきい値電圧偏差の推定を可能にする紹介した改良モデル。シミュレーションをFEM(有限要素法)シミュレータTCAD Sentaurusによる無作為化プロファイルを用いて行った。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 公差 ,  *MOSFET ,  電流 ,  *モデリング ,  有限要素法 ,  ゆらぎ ,  シミュレータ
準シソーラス用語： TCAD ,  離散化 ,  ドーピングプロファイル ,  超低消費電力 ,  チャネル長 ,  *閾値電圧 ,  *二重ゲート ,  *短チャネル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 短チャネル ,  二重ゲート ,  MOSFET ,  しきい値電圧 ,  RDF ,  解析 ,  モデリング