還元グラフェン酸化物修飾Ni発泡体上に形成されたin situ Co<sub>3</sub>O<sub>4</sub>ナノシートの容易な合成と触媒性能【Powered by NICT】

Song Congying; Yin Xianzhi; Li Biaopeng; Ye Ke; Zhu Kai; Cao Dianxue; Cheng Kui; Wang Guiling

文献

J-GLOBAL ID：201702268579186072 整理番号：17A1410635

還元グラフェン酸化物修飾Ni発泡体上に形成されたin situ Co₃O₄ナノシートの容易な合成と触媒性能【Powered by NICT】

Facile synthesis and catalytic performance of Co₃O₄ nanosheets in situ formed on reduced graphene oxide modified Ni foam

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資料名：
巻： 46 号： 40 ページ： 13845-13853 発行年： 2017年
JST資料番号： A0270A ISSN： 1477-9226 CODEN： DTARAF 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

H_2O_2電解還元のための還元グラフェン酸化物修飾Ni発泡体(Co_3O_4/rGO@Ni発泡体)上に形成されたin situ Co_3O_4ナノシートの三次元(3D)触媒電極は,二段階水熱法により調製した。第一段階では,グラフェン酸化物シートをNi発泡体の骨格上で還元され,形成され,Co_3O_4ナノシートは第二ステップを経てrGOシートと混合し合成した。Co_3O_4ナノシートは,豊富なナノ粒子で構成されている,H_2O_2と触媒間の十分な接触に有益なこれらのナノ粒子の間の多くのナノホールである。Co_3O_4/rGO@Ni発泡体電極の形態と相組成をX線回折(XRD),走査電子顕微鏡(SEM)および透過型電子顕微鏡(TEM)によって研究した。調製された電極の電極触媒活性をサイクリックボルタンメトリー(CV)およびクロノアンペロメトリー(CA)によって研究した。結果から,2モルL 1 ( 1)のNaOHおよび0.5mol/L ( 1)H_2O_2,Co_3O_4/rGO@Ni発泡体電極にH_2O_2の還元電流密度はNi発泡体上に支持された直接Co_3O_4上のそれよりもはるかに高い 0.8Vで450mA cm 2であることが分かった。電流密度の明らかな増加は,rGOの添加後の電極の表面積の増加に起因すると考えられる。,rGOとCo_3O_4ナノシートの相互貫入はCo_3O_4/rGO@Ni発泡体電極の優れた電極触媒活性と安定性を導く電極の電子及びイオン輸送能力を改善する。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

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その他の触媒 , 電気化学反応

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還元グラフェン酸化物修飾Ni発泡体上に形成されたin situ Co3O4ナノシートの容易な合成と触媒性能【Powered by NICT】

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