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J-GLOBAL ID:201702268667900391   整理番号:17A1038181

シリコンDBRレーザにおけるハイブリッドIII-Vの裏面統合【Powered by NICT】

Back-side integration of Hybrid III-V on Silicon DBR lasers
著者 (16件):
資料名:
巻: 2017  号: VLSI-TSA  ページ: 1-2  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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本論文では,SOIウエハの背面上の完全にCMOS互換ハイブリッドDBRレーザのモノリシック集積を実証した。この革新的なアプローチを同一チップ上にCMOS互換電気相互接続と光源を実現可能にした。光学的キャラクタリゼーションは, 35dBより高いSMSRを示す実現されたデバイスの単一波長挙動を確認し,4nm以上の同調範囲を,Siプラットフォーム上の完全集積化光送受信機への道を切り開くものである。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
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半導体レーザ 
タイトルに関連する用語 (3件):
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