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J-GLOBAL ID：201702268722398517   整理番号：17A1674191

薄膜アニーリングによるMoS2/SiO2/Siヘテロ接合太陽電池の光起電力性能の向上【JST・京大機械翻訳】

Enhancement of photovoltaic performance of MoS2/SiO2/Si heterojunction solar cells by film annealing

著者 (5件)： Xu Heju (河北大学物理科学与技術学院,河北保定071002;華北理工大学理学院,河北唐山063009) ,  Zhang Bin (河北大学物理科学与技術学院,河北保定,071002) ,  Zhang Yu (河北大学物理科学与技術学院,河北保定,071002) ,  Cong Ridong (河北大学物理科学与技術学院,河北保定,071002) ,  Yu Wei (河北大学物理科学与技術学院,河北保定,071002)
資料名： Guangxue Jingmi Gongcheng  (Guangxue Jingmi Gongcheng)
巻： 25  号： 3  ページ： 597-602  発行年： 2017年 
JST資料番号： C2090A  ISSN： 1004-924X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 効率的なSi/Si/SiO2/Siヘテロ接合太陽電池を作製するために,MoS2薄膜をマグネトロンスパッタリングにより調製し,MoS2薄膜を硫黄雰囲気下でアニールした。MoS2/SiO2/Siヘテロ接合太陽電池を,アニーリングとアニーリングなしのMoS2薄膜を用いて調製し,MoS2薄膜のミクロ構造とMoS2/SiO2/Siヘテロ接合太陽電池の光電気特性に及ぼすアニーリングの影響を研究した。実験結果により、アニーリング処理したMoS2薄膜のRamanピーク半値全幅(FWHM)が狭くなり、ピークが強く増強し、顕微蛍光スペクトルにも明らかな励起子発光ピークが現れたことが明らかになった。これらの結果により,アニーリング処理により,MoS2薄膜が非晶質から結晶に変化し,薄膜の欠陥が減少し,ヘテロ接合太陽電池の開回路電圧と充填因子が増加し,デバイス変換効率が0.94%から1.66%に増加することを示した。異なる光強度におけるJ-v測定と暗状態のJ-v測定結果は,アニーリング処理MoS2薄膜のヘテロ接合太陽電池が高い収集電圧と1に近い理想因子を有し,これがアニールによるMoS2薄膜の体欠陥の減少に帰着することを示した。それは,MoS2/SiO2/Siヘテロ接合太陽電池デバイスの欠陥を減少させた。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電気特性 ,  マグネトロンスパッタリング ,  電圧 ,  蛍光スペクトル ,  *光起電力 ,  FWHM ,  *薄膜 ,  *焼なまし ,  非晶質 ,  硫黄
準シソーラス用語： 光強度 ,  変換効率 ,  充填率 ,  開回路電圧 ,  *ヘテロ接合太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： solar cells ,  MoS2 thin film ,  annealing ,  photovoltaic performances

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 薄膜 ,  アニーリング ,  MoS2 ,  SiO2 ,  Si ,  ヘテロ接合太陽電池 ,  光起電力