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J-GLOBAL ID:201702268740442167   整理番号:17A0748431

チオフェンベースオリゴマへの強い外部電場の適用:半導性性能を向上させるための有望なアプローチ【Powered by NICT】

Applying strong external electric field to thiophene-based oligomers: A promising approach to upgrade semiconducting performance
著者 (4件):
資料名:
巻: 38  号:ページ: 304-311  発行年: 2017年 
JST資料番号: C0111B  ISSN: 0192-8651  CODEN: JCCHDD  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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電荷移動(CT)の速度を決定する重要なパラメータは再組織化エネルギー(λ),正孔/電子移動中の形状変化に関連したエネルギーである。適切な置換または挿入(例えば,-OR-Fまたは-C≡C-)によるオリゴチオフェンの環間二面角「しごき加工」は,λを減少させ,従って,Marcus方程式に従ってCTを促進することを示した。著者らの結果は,小さいλを達成するために,平らにされた骨格構造が実現されればオリゴマ長さが唯一の有意な拡張を示した。非常に興味あることに,電子デバイスλの計算における見落とされていた一般的にまだに遍在する,外部電場は従来の置換よりも有意に大きな影響を持つことができることである。を強調することは重要である外場へのλの応答である系依存性。縮合環共役系と比較して,単結合連結チオフェンは外部場により敏感であった。F_xは1Åの強度でクアテルチオフェンのλ(552 meV)を低下させ約80%であり,同じレベルの理論でペンタセン(@@@_003)とルブレン(@@@_004)のそれよりも低い値(@@@_002)まで低下した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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分子の電子構造  ,  分子・遺伝情報処理 
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