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J-GLOBAL ID：201702268782434874   整理番号：17A0594408

InAs/InAlGaAs量子ドットマイクロディスクからの1.55μm帯低閾値,連続波発振

1.55 μm band low-threshold, continuous-wave lasing from InAs/InAlGaAs quantum dot microdisks

著者 (5件)： ZHU Si (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong, CHN) ,  SHI Bei (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong, CHN) ,  WAN Yating (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong, CHN) ,  HU Evelyn L. (Harvard Univ., Massachusetts, USA) ,  LAU Kei May (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong, CHN)
資料名： Optics Letters  (Optics Letters)
巻： 42  号： 4  ページ： 679-682  発行年： 2017年02月15日 
JST資料番号： H0690A  ISSN： 0146-9592  CODEN： OPLEDP  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,  アルミニウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  ヒ化物 ,  *化合物半導体 ,  *量子ドット ,  *半導体レーザ ,  *連続レーザ ,  マイクロディスクレーザ ,  ヒ化アルミニウムガリウムインジウム ,  III-V半導体
準シソーラス用語： AlGaInAs ,  III-V族化合物半導体 ,  連続波レーザ

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  無機化合物の結晶構造一般  (BK07001T)

タイトルに関連する用語 (6件)： InAs ,  InAlGaAs ,  量子ドット ,  マイクロディスク ,  閾値 ,  連続波