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J-GLOBAL ID：201702268932376385   整理番号：17A0751648

アクティブマトリックスアレイに使用するための直接熱ナノインプリンティングによる全溶液印刷酸化物薄膜トランジスタ【Powered by NICT】

All-solution-printed oxide thin-film transistors by direct thermal nanoimprinting for use in active-matrix arrays

著者 (17件)： Hirose Daisuke (Green Devices Research Center, Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST), 2-13 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1211, Japan) ,  Hirose Daisuke (Japan Science and Technology Agency (JST), ERATO, Shimoda Nano-Liquid Process Project, 2-5-3 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1211, Japan) ,  Hirose Daisuke (School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST), 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1292, Japan) ,  Koyama Hiroaki (Green Devices Research Center, Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST), 2-13 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1211, Japan) ,  Koyama Hiroaki (Toppan Printing Co. Ltd., 4-2-3 Takanodai minami, Sugito, Kitakatsusika-gun, Saitama 345-8508, Japan) ,  Fukada Kazuhiro (Green Devices Research Center, Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST), 2-13 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1211, Japan) ,  Fukada Kazuhiro (Japan Science and Technology Agency (JST), ERATO, Shimoda Nano-Liquid Process Project, 2-5-3 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1211, Japan) ,  Fukada Kazuhiro (School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST), 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1292, Japan) ,  Murakami Yoshitaka (Green Devices Research Center, Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST), 2-13 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1211, Japan) ,  Murakami Yoshitaka (JSR Corporation, Yokkaichi Research Center, 100 Kawajiri-cho, Yokkaichi, Mie 510-8552, Japan) ,  Satou Keisuke (Green Devices Research Center, Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST), 2-13 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1211, Japan) ,  Satou Keisuke (JSR Corporation, Yokkaichi Research Center, 100 Kawajiri-cho, Yokkaichi, Mie 510-8552, Japan) ,  Inoue Satoshi (Green Devices Research Center, Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST), 2-13 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1211, Japan) ,  Inoue Satoshi (School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST), 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1292, Japan) ,  Shimoda Tatsuya (Green Devices Research Center, Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST), 2-13 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1211, Japan) ,  Shimoda Tatsuya (Japan Science and Technology Agency (JST), ERATO, Shimoda Nano-Liquid Process Project, 2-5-3 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1211, Japan) ,  Shimoda Tatsuya (School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST), 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1292, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 1  ページ： ROMBUNNO.201600397  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 全溶液印刷酸化物薄膜トランジスタ(TFT)を,ナノレオロジー印刷(n RP)と呼ばれる直接熱ナノインプリンティング技術を用いて作製した。nRPは酸化物ゲルの熱可塑性を利用した印刷技術である。はこのような熱可塑性酸化物ゲルを調製して,適当なアラインメントシステムを開発した。このシステムを用いて,アクティブマトリックスアレイに使用のために設計されたTFTは,5μm以下の高いアラインメント精度で作製した。すべて溶液印刷酸化物TFTアレイへのこれらのTFTを組み込んだに成功し,アレイにおけるトランジスタの動作を確認した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *印刷 ,  ゲル ,  *トランジスタ ,  *酸化物 ,  熱塑性 ,  印刷技術 ,  ナノレオロジー ,  機械的性質 ,  性質
準シソーラス用語： *ナノインプリント , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 酸化物薄膜トランジスタ ,  プリントエレクトロニクス ,  溶液から作製した酸化物 ,  TFTアレイ ,  熱ナノインプリンティング

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノインプリンティング ,  溶液 ,  酸化物薄膜 ,  トランジスタ