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J-GLOBAL ID：201702268951633641   整理番号：17A0661494

(Ag,In)-共ドーピングによるCu_2SnSe_3の増強された熱電特性【Powered by NICT】

Enhanced Thermoelectric Properties of Cu₂SnSe₃ by (Ag,In)-Co-Doping

著者 (10件)： Li Yuyang (Key Laboratory of Cryogenics, Technical Institute of Physics and Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, P. R. China) ,  Li Yuyang (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, P. R. China) ,  Liu Guanghua (Key Laboratory of Cryogenics, Technical Institute of Physics and Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, P. R. China. [e-mail]) ,  Cao Tengfei (Beijing Computational Science Research Center, Beijing, 100193, China) ,  Liu LiMin (Beijing Computational Science Research Center, Beijing, 100193, China. [e-mail]) ,  Li Jiangtao (Key Laboratory of Cryogenics, Technical Institute of Physics and Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, P. R. China. [e-mail]) ,  Chen Kexin (State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing, 100084, P. R. China. [e-mail]) ,  Li Laifeng (Key Laboratory of Cryogenics, Technical Institute of Physics and Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, P. R. China) ,  Han Yemao (Key Laboratory of Cryogenics, Technical Institute of Physics and Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, P. R. China) ,  Zhou Min (Key Laboratory of Cryogenics, Technical Institute of Physics and Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, P. R. China)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 26  号： 33  ページ： 6025-6032  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (Ag,In) 共ドープCu_2SnSe_3の高密度バルク試料を燃焼合成の迅速かつ一段階法によって作製し,それらの熱電特性を323から823Kまで調べた。実験結果は,CuサイトでのAgドーピングは著しくSeebeck係数を高め,電気および熱伝導率を低下させ,最終的に性能指数(ZT)値指数を増加させることを示した。Cu_1 0.85Ag_0 15SnSe_3試料のZTは773Kで0.80,純粋試料(773KでZT=0.46)と比較して約70%改善されるに達した。第一原理計算は,AgドーピングはCu_2SnSe_3の電子構造を変化させ,キャリアの有効質量を生じさせ,それによってSeebeck係数を向上させ,電気伝導率を減少させることを示した。Agドーピングによる低電気伝導率はSnサイトでのInドーピングに伴うによって修復されることができ,(Ag,In)-共ドーピングによる熱電特性をさらに進められている。Cu_1 0.85Ag_0 15Sn_0 9In_0 1Se_3の(Ag,In)-共ドープ試料は823Kで1.42の最大ZT,これまでCu_2SnSe_3ベース材料の最良の結果と思われるを示した。共ドーピングはZTを増加させるための相反する材料特性を最適化するための効果的な解決策を提供する可能性があることを示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 性能指数 ,  *インジウム ,  電気伝導率 ,  *ドーピング ,  電子構造 ,  最適化 ,  熱伝導率 ,  *銀 ,  有効質量 ,  燃焼合成
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  Seebeck係数 ,  *熱電特性 ,  *共ドーピング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： chalcogenides ,  燃焼合成 ,  熱電材料

分類 (5件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  電気的性質  (WB02010Y) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ag ,  共ドーピング ,  増強 ,  熱電特性