マルチドメインのランダウ-カラストニコフ理論に基づく回路シミュレーションのための強誘電体ゲート電界効果トランジスタのコンパクトモデル

ASAI Hidehiro; FUKUDA Koichi; HATTORI Junichi; KOIKE Hanpei; MIYATA Noriyuki; TAKAHASHI Mitsue; SAKAI Shigeki

文献

J-GLOBAL ID：201702269124494473 整理番号：17A0955220

マルチドメインのランダウ-カラストニコフ理論に基づく回路シミュレーションのための強誘電体ゲート電界効果トランジスタのコンパクトモデル

Compact model of ferroelectric-gate field-effect transistor for circuit simulation based on multidomain Landau-Kalathnikov theory

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資料名：
巻： 56 号： 4S ページ： 04CE07.1-04CE07.4 発行年： 2017年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

熱的に活性化できる複数の強誘電性ドメイン構造を考慮し,強誘電体ゲート電界効果トランジスタ(FeFET)に対する新しいコンパクトモデルを示した。ランダウ-カラストニコフ(LK)理論に基づき,電気分極と熱活性化速度の運動を計算した。このコンパクトなモデルを,アナログ回路シミュレーションに対してVerilog-A言語を使用し,回路シミュレータスマートSPICEに実装した。実験で報告されたFeFETのデバイス特性は,本コンパクトモデルによって十分に適合された。また,このコンパクトモデルを用いて,FeFETを利用したインバータの回路シミュレーションを行った。MOSFETで構成される通常のインバータと異なり,インバータのスイッチング速度は動作前の電圧パルスで変化した。(翻訳著者抄録)

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固体デバイス計測・試験・信頼性

引用文献 (32件)：

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