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J-GLOBAL ID：201702269145626773   整理番号：17A1550617

高性能MoS_2埋め込まれたSi光検出器【Powered by NICT】

High-performing MoS₂-embedded Si photodetector

著者 (6件)： Kim Hong-Sik (Photoelectric and Energy Device Application Lab (PEDAL) and Department of Electrical Engineering, Incheon National University, Incheon 406772, Republic of Korea) ,  Kumar Melvin David (Department of Physics, Aditanar College of Arts and Science, Tamilnadu 628216, India) ,  Patel Malkeshkumar (Photoelectric and Energy Device Application Lab (PEDAL) and Department of Electrical Engineering, Incheon National University, Incheon 406772, Republic of Korea) ,  Kim Joondong (Photoelectric and Energy Device Application Lab (PEDAL) and Department of Electrical Engineering, Incheon National University, Incheon 406772, Republic of Korea) ,  Cho Byungjin (Department of Advanced Material Engineering, Chungbuk National University, Cheongju 28644, Republic of Korea) ,  Kim Dong-Ho (Advanced Functional Thin Films Department, Korea Institute of Materials Science (KIMS), Changwon 641831, Republic of Korea)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 71  ページ： 35-41  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 遷移金属ジカルコゲン化物(TMD)は,太陽光発電とセンサにおけるグラフェン,CNTなどのような高機能性材料を置換する新しいクラスの材料である。本研究では,二次元三層MoS_2は高性能光検出器に適用した。ここでは,従来のn型ドープp型Si(n Si/p Si)はCVD法を用いた三層MoS_2膜で被覆した。HRTEMは,高度に規則化した格子面を持つ三層の存在を明らかにした。MoとSの特性ピークはXPSプロファイルで得られた。スピン-軌道結合に起因して,SのMoと2pバンドの3dバンドは二状態に分裂する。MoS_2膜のRamanスペクトルは二つのピークを示し,その面内および面外振動モードに対応した。これらモード間の波数差は22.97cm~ 1はMoS_2膜中の三層であることを保証するとして測定した。価電子バンドの分裂は,吸収プロファイルのAとBとして注目されている複数の励起子を生成する。励起子遷移はMoS_2(,1.9eV)の直接バンドギャップに対応する。調製したMoS_2/n Si/p Si光検出器はかなりの内蔵ポテンシャルを持つ二整流接合を含んでいる。高整流比は51.37が品質接合形成を保証するために測定した。MoS_2/n Si/p Si光検出器の光応答比58.74は高い検出感度5.42×10~14JonesのMoS_2とSiの間の品質接合形成を確認するためにとして得られた。さらに,極めて速い上昇と33μsと30μsの立ち下がり時間は,外部バイアス印加なしで達成された。MoS_2窓設計の機能的使用は,強化された光電素子のための高い可能性を提供するであろう,光検出器や太陽電池のような。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 整流 ,  Ramanスペクトル ,  機能材料 ,  励起子 ,  太陽電池 ,  二次元 ,  *ケイ素 ,  *モリブデン ,  ドーピング ,  *光検出器 ,  グラフェン ,  価電子バンド ,  化学蒸着
準シソーラス用語： 光応答 ,  HRTEM , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： MoS_2 ,  MoS_2/n Si/p型Si光検出器 ,  自己手術 ,  高速応答時間 ,  Detectivity

分類 (1件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高性能 ,  Si ,  光検出器