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文献
J-GLOBAL ID:201702269177091264   整理番号:17A0497310

スルホニルアミドホスフェートによるEu3+およびTb3+発光の感受性への一重項状態からのエネルギー移動の寄与

Contribution of Energy Transfer from the Singlet State to the Sensitization of Eu3+ and Tb3+ Luminescence by Sulfonylamidophosphates
著者 (7件):
資料名:
巻: 23  号:ページ: 1318-1330  発行年: 2017年
JST資料番号: W0744A  ISSN: 0947-6539  CODEN: CEUJED  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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一連の安定なランタニド錯体Na[Ln(L)4](Ln=La3+,Eu3+,Gd3+,Tb3+,L=ジメチル(4-メチルフェニルスルホニル)アミドホスフェートおよびジメチル-2-ナフチルスルホニルアミドホスフェート)を合成した。この一連の化合物を,293°Kおよび77°Kでの単結晶X線回折,およびIR,吸収,および発光分光法により特性化した。配位子の通常の十分既知の主要な役割と対照的に,分子内エネルギー移動における三重項状態はLn錯体中に存在していた。即ち,スルホニルアミドホスフェート配位子を有する特別のクラスのLn錯体は,強力な実験的および詳細な理論的事実により,主要な役割をこの配位子の第一励起一重項により演じることが分かった。このプロセスのTb3+化合物における7F5水準が演じる役割が重要であることが分かった。エネルギー伝達率のための理論的手法を,実験データの合理化に利用することに成功した。Eu(5DJ,5LJ,5GJ)およびTb(5DJ,5GJ,5LJ,5HJ,5FJ,5IJ)の高位励起水準を初めて計算に含めた。多極および交換機構の両方を考慮した。実験強度パラメータ(Ωλ),発光寿命(τ),放射(Arad)および非放射(Anrad)減衰速度,および量子収率(理論および実験)を決定し,詳細に検討した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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著者キーワード (4件):
分類 (2件):
分類
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第3族元素の錯体  ,  錯体のルミネセンス 
物質索引 (2件):
物質索引
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タイトルに関連する用語 (2件):
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