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J-GLOBAL ID:201702269184758021   整理番号:17A1085013

レーザリフトオフ法によるCu(In,Ga)Se2太陽電池の透明導電性酸化物の超高速レーザスクライビング: レーザ誘起損傷の制御

Ultrafast laser scribing of transparent conductive oxides in Cu(In,Ga)Se2 solar cells via laser lift-off process: The control of laser-induced damage.
著者 (10件):
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巻: 10091  ページ: 100911E.1-100911E.9  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0943A  ISSN: 0277-786X  CODEN: PSISDG  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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CIGS薄膜太陽電池の損傷のない透明導電性酸化物(TCO)前面接触絶縁プロセス(P3)スクライビングとして,リフトオフプロセスによる超短パルスレーザースクライビング(λ=1034nm,Δτ=300fs)に焦点を合わせた。TCOリフトオフ挙動のレーザパルスエネルギーおよびTCO膜厚依存性を調べた。TCOのリフトオフにより,CIGSが溶融する溝底部の下に最大250nmの厚みの熱影響部(HAZ)が形成された。薄いTCO膜は,TCOリフトオフのために低いレーザエネルギー閾値を必要とし,これはより小さいHAZ故に,高い太陽電池効率に有利である。P3としてのTCOリフトオフを使用して,全てのレーザスクライビングによって作製した約3.5cm2の活性領域を有するサブモジュールは11.6%の変換効率を示した。
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分類 (1件):
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太陽電池 

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