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J-GLOBAL ID:201702269236425737   整理番号:17A0442262

ホスフィンアミド含有配位子多様体により支持された4族および5族金属錯体による二窒素活性化【Powered by NICT】

Dinitrogen activation by group 4 and group 5 metal complexes supported by phosphine-amido containing ligand manifolds
著者 (3件):
資料名:
巻: 334  ページ: 84-99  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0831A  ISSN: 0010-8545  CODEN: CCHRA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本レビューでは,過去25年にわたるFryzukグループによって行われた窒素固定に関連した4族および5族遷移金属錯体のための配位子設計への反復アプローチを概説した。ジルコニウム, チタン, タンタルとニオブとフォスフィン及びアミドドナー,および分子窒素を結合し,官能化するためのそれらの能力を組み込んだ多座配位子の配位化学を調査した。本レビューでは,これらの配位子セットの逐次設計は極限と報告されている,原料として窒素を使用し,触媒プロセスにおいてはより高い価値有機窒素材料に変換できる均一系を発見するためにまだ実現されていない目標である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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遷移金属錯体一般 

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