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J-GLOBAL ID：201702269302364623   整理番号：17A1000006

ミリ長トポロジカル絶縁体Bi_2Te_3薄膜H allバー装置における磁気輸送特性の観測【Powered by NICT】

Observation of the magneto-transport property in a millimeter-long topological insulator Bi₂Te₃ thin-film Hall bar device

著者 (2件)： Pradhan Sunil Kumar (Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Hsinchu 300, Taiwan, ROC) ,  Barik Ranjan (Microwave Tube Division, CSIR - Central Electronics Engineering Research Institute, Pilani, Rajasthan 333031, India)
資料名： Applied Materials Today  (Applied Materials Today)
巻： 7  ページ： 55-59  発行年： 2017年 
JST資料番号： W3082A  ISSN： 2352-9407  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,長いミリサイズの清浄な,表面保護と高品質トポロジカル絶縁体(TI)薄膜H allバー素子を報告し,レジストとリソグラフィー技術を使用しない。弱い反局在(WAL)挙動の顕著な効果はT=4 10K上の低温と低電界領域での磁気輸送測定で観察され,10K以降からより高い温度にWALカスプは消失し,著者らは高磁場magenetoresistance(MR)現場で直線的であることを見出した。磁場(B)に関連して,MR挙動は対称であると思われる。もトポロジカル絶縁体Bi_2Te_3薄膜Hallバー素子の厚みに依存する弱い反局在化(WAL)挙動を報告した。変厚のための著者らの系統的磁気輸送測定はWAL信号はより厚い膜で得られ,臨界厚さ~4nm以下の表面輸送の突然の減少はWAL挙動の抑制で観察したように明らかにした。この効果の顕著な挙動は,温度に依存することが判明した,WALカスプは低磁場領域における低温で観測した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： カスプ磁場 ,  *薄膜 ,  強磁場 ,  低温 ,  磁気抵抗 ,  磁場 ,  レジスト ,  電場 ,  対称性 ,  リソグラフィー ,  弱磁場 ,  *トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： Hallバー ,  反局在 ,  *磁気輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 弱反局在 ,  線形磁気抵抗 ,  トポロジカル絶縁体 ,  Bi_2Te_3

分類 (5件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (6件)： トポロジカル絶縁体 ,  薄膜 ,  ALL ,  磁気 ,  輸送特性 ,  観測