文献

J-GLOBAL ID：201702269479944904   整理番号：17A1286298

CVDダイヤモンドのトライボケミカルポリシングにおける界面温度上昇の予測【JST・京大機械翻訳】

Prediction of the Interface Temperature Rise in Tribochemical Polishing of CVD Diamond

著者 (5件)： Zewei YUAN (SCHOOL OF MECHANICAL ENGINEERING, SHENYANG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY, SHENGYANG 110870, CHINA) ,  Yan HE (SCHOOL OF MECHANICAL ENGINEERING, SHENYANG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY, SHENGYANG 110870, CHINA) ,  Zhuji JIN (KEY LABORATORY FOR PRECISION AND NON-TRADITIONAL MACHINING TECHNOLOGY OF MINISTRY OF EDUCATION, DALIAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY, DALIAN 116024, CHINA) ,  Peng ZHENG (SCHOOL OF MECHANICAL ENGINEERING, SHENYANG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY, SHENGYANG 110870, CHINA) ,  Qiang LI (SCHOOL OF MECHANICAL ENGINEERING, SHENYANG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY, SHENGYANG 110870, CHINA)
資料名： Zhongguo Jixie Gongcheng Xuebao  (Zhongguo Jixie Gongcheng Xuebao)
巻： 30  号： 2  ページ： 310-320  発行年： 2017年 
JST資料番号： C2639A  ISSN： 1000-9345  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 摩擦化学研磨は,触媒金属の使用により,CVD(化学蒸着)ダイヤモンド膜を研磨するための最も効率的な方法の一つである。しかしながら,研磨プロセス中の界面温度を制御する困難さは,しばしば,不安定な接触プロセスのために,低い材料除去をもたらす。そこで本研究では,CVDダイヤモンド膜の摩擦化学研磨における接触プロセスを調査し,実際の接触面積,実際の接触圧力,および研磨プロセスにおける界面温度を予測するための動的接触モデルを提案した。このモデルは,Talysurf CLI2000 3D表面トポグラフィーによるCVDダイヤモンドの表面測定と研磨温度の測定により検証された。理論的および実験的結果は,研磨プロセスにおけるダイヤモンド膜表面上のアスペリティの高さ分布が,オリジナルおよび研磨アスペリティの高さ分布を結合することによって,よく評価されることを示した。ダイヤモンド膜のモデル化表面粗さ高さ分布は,研磨プロセスにおける実際の表面測定と一致した。実際の接触圧力は小さい実際の接触面積により非常に大きい。予測された界面温度は,最も低い回転速度と負荷がそれぞれ100r/分と50Nのとき,ダイヤモンドと研磨板の間の触媒反応温度に達することができ,ダイヤモンド材料は著しく除去される。このモデルは,摩擦化学研磨のための効果的なプロセス理論を提供するかもしれない。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 接触圧 ,  化学研磨 ,  モデリング ,  研磨 ,  三次元 ,  回転数 ,  *界面 ,  化学蒸着 ,  *ダイヤモンド ,  アスペリティ
準シソーラス用語： 表面トポグラフィー ,  接触面積 ,  材料除去 ,  ダイヤモンド膜 ,  *CVDダイヤモンド , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： CVD diamond ,  Tribochemical polishing ,  Interface temperature ,  Prediction

分類 (2件)： 研削  (QC03000R) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (4件)： CVDダイヤモンド ,  界面 ,  温度上昇 ,  予測