ALEKSEEV P.S. について
A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., St. Petersburg, RUS について
DMITRIEV A.P. について
A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., St. Petersburg, RUS について
GORNYI I.V. について
Karlsruhe Inst. Technol., Karlsruhe, DEU について
GORNYI I.V. について
A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., St. Petersburg, RUS について
KACHOROVSKII V.Yu. について
A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., St. Petersburg, RUS について
NAROZHNY B.N. について
Karlsruhe Inst. Technol., Karlsruhe, DEU について
NAROZHNY B.N. について
National Res. Nuclear Univ. MEPhI(Moscow Engineering Physics Inst.), Moscow, RUS について
SCHUETT M. について
Univ. Minnesota, Minnesota, USA について
TITOV M. について
Radboud Univ. Nijmegen, Nijmegen, NLD について
Physical Review. B について
半金属 について
磁気抵抗 について
準粒子 について
Boltzmann方程式 について
二成分系 について
電気力学 について
Hall効果 について
キャリア再結合 について
不純物補償 について
不均一性 について
二次元 について
三次元 について
外部磁場 について
閉込め について
静電気学 について
電子-正孔再結合 について
電荷補償 について
金属の電子伝導一般 について
半導体と絶縁体の電気伝導一般 について
補償 について
半金属 について
磁気抵抗 について