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J-GLOBAL ID：201702269691830554   整理番号：17A0559024

周期的にテーパー化されたカラム状にパターン化したサファイア基板上に作製したGaN紫外検出器における高応答性

High Responsivity in GaN Ultraviolet Photodetector Grown on a Periodic Trapezoid-Column Patterned Sapphire Substrate

著者 (3件)： LIU Kuan-Ting (Cheng Shiu Univ., Kaohsiung City, TWN) ,  CHANG Shoou-Jinn (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  WU Sean (Tung Fang Design Inst., Kaohsiung City, TWN)
資料名： Sensors and Materials  (Sensors and Materials)
巻： 29  号： 4  ページ： 363-370  発行年： 2017年 
JST資料番号： L0338A  ISSN： 0914-4935  CODEN： SENMER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *紫外検出器 ,  *応答特性 ,  基板 ,  パターン形成 ,  MSM構造 ,  比率 ,  MOCVD ,  貫通転位
準シソーラス用語： *応答性 ,  サファイア基板 ,  金属-半導体-金属構造 ,  阻止率 ,  金属有機化学蒸着

分類 (1件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (7件)： テーパー ,  カラム ,  サファイア基板 ,  作製 ,  GaN ,  紫外検出器 ,  応答性