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J-GLOBAL ID：201702269768610575   整理番号：17A1728428

130nm SOI技術における耐放射線性位相同期ループの全電離線量感受性【Powered by NICT】

Total ionizing dose sensitivity of a radiation-tolerant phase-locked loop in a 130 nm SOI technology

著者 (7件)： Chen Zhuojun (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Lin Min (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Ding Ding (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Zheng Yunlong (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Sang Zehua (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Zou Shichang (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Chen Rongmei (Key Laboratory of Particle & Radiation Imaging, Ministry of Education, Department of Engineering Physics, Tsinghua University, Beijing 100084, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： RADECS  ページ： 1-5  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,130nm PD-SOIプロセスで製作した耐放射線位相同期ループ(PLL)への総電離線量(TID)応答の感度を特性化した。電離放射線により誘導されたデバイスパラメータ劣化の研究に基づいて,PLL回路の性能減衰を示した。実験結果は,集積位相雑音は20.8%増加し,全供給漏れ電流は1.5倍大きいことを示し,総線量は最大500krad(Si)である。最後に,PLLの閉ループ位相雑音に及ぼすTIDの影響に関する機構を包括的に考察した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *位相同期ループ ,  *放射線量 ,  *耐放射線性 ,  *放射線 ,  電離放射線 ,  漏れ電流 ,  キャラクタリゼーション ,  *感受性 ,  位相雑音
準シソーラス用語： 総電離線量 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (6件)： SOI技術 ,  耐放射線性 ,  位相同期ループ ,  全電離 ,  線量 ,  感受性