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J-GLOBAL ID:201702269810614570   整理番号:17A1633167

中空立方晶二重層は高性能スーパーキャパシタ用のCu_7S_4/NiSナノ複合材料構造【Powered by NICT】

Hollow cubic double layer structured Cu7S4/NiS nanocomposites for high-performance supercapacitors
著者 (6件):
資料名:
巻:号: 39  ページ: 20729-20736  発行年: 2017年 
JST資料番号: W0204B  ISSN: 2050-7488  CODEN: JMCAET  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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二重層中空構造Cu_7S_4/NiS材料を自己犠牲テンプレート法を用いて合成し,スーパーキャパシタ用の電極材料としてである。粒径が異なる三種類のCu_7S_4/NiS複合材料は,1Ag~( 1)の電流密度で,1204Fg~( 1),1028Fg~( 1)と857Fg~( 1)の高い比静電容量を示し,それぞれ,合成し,試験した。ナノ複合材料の比静電容量は4Ag~( 1)の電流密度,良好なサイクル安定性を示し,1000サイクル後に945.5Fg~( 1)(85.8%),719.2Fg~( 1)(84.32%)と558.5Fg~( 1)(80.13%)レベルのままであったであった。純粋なNiSとCu_7S_4と比較して,中空Cu_7S_4/NiS複合材料の開発はスーパーキャパシタ性能を向上させるのに有効であることを実証した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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静電機器 

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