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J-GLOBAL ID：201702269829456117   整理番号：17A1480785

過酸化直後ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)で修飾した電極の電荷移動抵抗の決定【Powered by NICT】

Determination of the charge transfer resistance of poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-modified electrodes immediately after overoxidation

著者 (8件)： Zalka D. (Institute of Chemistry, Laboratory of Electrochemistry and Electroanalytical Chemistry, Eotvos Lorand University, Pazmany P. s. 1/A, H-1117 Budapest, Hungary) ,  Kovacs N. (Institute of Chemistry, Laboratory of Electrochemistry and Electroanalytical Chemistry, Eotvos Lorand University, Pazmany P. s. 1/A, H-1117 Budapest, Hungary) ,  Szekeres K. (Institute of Chemistry, Laboratory of Electrochemistry and Electroanalytical Chemistry, Eotvos Lorand University, Pazmany P. s. 1/A, H-1117 Budapest, Hungary) ,  Ujvari M. (Institute of Chemistry, Laboratory of Electrochemistry and Electroanalytical Chemistry, Eotvos Lorand University, Pazmany P. s. 1/A, H-1117 Budapest, Hungary) ,  Vesztergom S. (Institute of Chemistry, Laboratory of Electrochemistry and Electroanalytical Chemistry, Eotvos Lorand University, Pazmany P. s. 1/A, H-1117 Budapest, Hungary) ,  Eliseeva S. (Chemical Department, St. Petersburg State University, Universitetskii pr. 26, 198504, Russia) ,  Kondratiev V. (Chemical Department, St. Petersburg State University, Universitetskii pr. 26, 198504, Russia) ,  Lang G.G. (Institute of Chemistry, Laboratory of Electrochemistry and Electroanalytical Chemistry, Eotvos Lorand University, Pazmany P. s. 1/A, H-1117 Budapest, Hungary)
資料名： Electrochimica Acta  (Electrochimica Acta)
巻： 247  ページ： 321-332  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0535B  ISSN： 0013-4686  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多くの電気化学系は本質的に非定常では時間依存性現象によって影響を受ける。インピーダンス分光法の古典的バージョンにおける定常性の要件は,物体の本質的な性質と矛盾するように思われ,従って実験数学的/分析法は,「真の」インピーダンス値の再構成が必要である。本研究では,元々Stoynovによって提案された4次元解析法は既存の(実験的に測定された)インピーダンスデータの補正に用いることができることが示されているが,それはまた,測定の時間間隔外インピーダンススペクトルの推定の可能性を開くものである。具体例として法を時間の関数としてポリ(3,4 エチレンジオキシチオフェン)(PEDOT)で修飾した電極の電荷移動抵抗(Rct)の定量に適用し,高分子膜の過酸化直後の瞬間時間に対応するR ct値を含めて。過酸化後の電荷移動抵抗は,元の電極のR ctよりも幾分高い値に実験時間と共に連続的に減少した。結果は「治癒過程」は膜/基板界面で発生する可能性があることを示唆した。この効果のより良い理解は,実際的応用に影響を及ぼす可能性がある。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電気化学 ,  治癒 ,  インピーダンススペクトル ,  界面 ,  インピーダンス ,  *過酸化 ,  時間依存性 ,  再構成 ,  高分子膜 ,  四次元
準シソーラス用語： 時間間隔 ,  定常性 ,  インピーダンス分光法 ,  非定常性 ,  *電荷移動抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 非定常システム ,  ポリ(34 エチレンジオキシチオフェン)(PEDOT)の過酸化 ,  4次元解析法 ,  瞬間インピーダンス ,  電荷移動抵抗

分類 (1件)： 電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (3件)： 過酸化 ,  修飾 ,  電荷移動抵抗