Gajda G. について
International Laboratory of HMF and LT, Gajowicka 95, 53-421, Wroclaw, Poland について
Morawski A. について
Institute of High Pressure Physics PAS, Sokolowska 29/37, 01-142, Warszawa, Poland について
Diduszko R. について
Industrial Institute of Electronics, Dluga 44, 00-241, Warszawa, Poland について
Cetner T. について
Institute of High Pressure Physics PAS, Sokolowska 29/37, 01-142, Warszawa, Poland について
Hossain M.S.A. について
University of Wollongong and Institute for Superconducting and Electronic Materials, Wollongong, New South Wales, 2522, Australia について
Gruszka K. について
Czestochowa University of Technology, Faculty of Production Engineering and Materials Technology, Institute of Physics, Armii Krajowej 19, 42-200, Czestochowa, Poland について
Gajda D. について
International Laboratory of HMF and LT, Gajowicka 95, 53-421, Wroclaw, Poland について
Przyslupski P. について
Institute of Physics PAS, 02-668, Warszawa, Al. Lotnikow 32/46, Poland について
Journal of Alloys and Compounds について
ピン止め について
HIP【ホットプレス】 について
ホウ素 について
臨界電流密度 について
結晶粒 について
臨界温度 について
ドーピング について
析出物 について
磁化特性測定 について
臨界電流 について
強磁場 について
高圧 について
反磁性 について
酸化物 について
不可逆磁場 について
MgB_2材料 について
Cドーピング について
CeとNdドーピング について
臨界電流密度 について
ピン止め中心 について
その他の超伝導体の物性 について
超伝導材料 について
臨界温度 について
臨界電流 について
酸化物 について
ドーピング について
役割 について