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J-GLOBAL ID：201702269879949036   整理番号：17A0474621

ハイブリッド密度汎関数理論を用いたInAs/GaSb超格子の電子構造のモデル化【Powered by NICT】

Electronic structure modeling of InAs/GaSb superlattices with hybrid density functional theory

著者 (3件)： Garwood T. (Center for High Technology Materials, University of New Mexico, Albuquerque, NM 87106-4343, USA) ,  Modine N.A. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM 87185-1315, USA) ,  Krishna S. (Center for High Technology Materials, University of New Mexico, Albuquerque, NM 87106-4343, USA)
資料名： Infrared Physics & Technology  (Infrared Physics & Technology)
巻： 81  ページ： 27-31  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0184A  ISSN： 1350-4495  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理計算の応用は,半導体超格子の理解を大きく改善するための有望である。ハイブリッド密度汎関数理論を用いたバンドギャップを正確に予測する方法を開発するには,これらの構造のより微妙な特性を調べる将来の研究の基礎を築いた。我々のアプローチは,構成材料のバンドギャップを用いたSLS構造の特性の事前予測を可能にする。さらに,SLS特性に及ぼす界面構造の効果,例えば,界面での相互混合と秩序化の直接研究を可能にするはずである。本論文では,密度汎関数理論の一般化されたKohn-Sham定式化を用いて計算した種々のInAs/GaSbタイプII超格子構造のバンドギャップデータを提示した。PBE0型ハイブリッド汎関数を用いた,正確な交換の一部は厳密な交換の18%を用いて得られたバルク実験値に最も良く一致を有した二元化合物InAsとGaSbのバンドギャップに適合するように調整した。本研究で考慮したヘテロ構造は,3%から11%の範囲の実験バンドギャップからの偏差は6単分子層(ML)InAs/6ML GaSb,8ML-InAs/8ML-GaSbと10ML InAs/10ML GaSbである。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *モデリング ,  第一原理 ,  *アンチモン化ガリウム ,  界面 ,  *超格子 ,  *密度汎関数法 ,  単分子層 ,  バンドギャップ ,  *ヒ化インジウム
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  ハイブリッド汎関数 ,  相互混合 ,  界面構造 ,  半導体超格子 ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ハイブリッド密度汎関数理論 ,  超格子 ,  バンドギャップ ,  第一原理

分類 (2件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (6件)： 密度汎関数理論 ,  InAs ,  GaSb ,  超格子 ,  電子構造 ,  モデル化