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J-GLOBAL ID：201702269944992356   整理番号：17A0237533

チオフェン系ドナー-アクセプター高分子半導体の光学および導電性の設計に対する解析 理論的展望

Analyses of Thiophene-Based Donor-Acceptor Semiconducting Polymers toward Designing Optical and Conductive Properties: A Theoretical Perspective

著者 (5件)： MATSUI Toru (RIKEN, Hyogo, JPN) ,  IMAMURA Yutaka (RIKEN, Hyogo, JPN) ,  OSAKA Itaru (RIKEN, Saitama, JPN) ,  TAKIMIYA Kazuo (RIKEN, Saitama, JPN) ,  NAKAJIMA Takahito (RIKEN, Hyogo, JPN)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 120  号： 15  ページ： 8305-8314  発行年： 2016年04月21日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者等は,一連のチオフェン系ドナー-アクセプター高分子半導体の,フロンティア軌道と励起エネルギーを研究した。軌道解析により,重合度によるフロンティア軌道エネルギーの著しく異なる挙動は,フロンティア軌道の分布に起因することを明らかにした。これは,高分子半導体のイオン化ポテンシャルおよび電子親和力を制御するために重要である。また,小さなオリゴマの計算からパラメータ化されたシンプルなHueckel理論に基づく分析モデルにより,高分子のフロンティア軌道エネルギーを推定することができた。このシンプルなモデルは,低い計算コストで高分子のHOMO-LUMOギャップの予測を可能にした。チオフェン系高分子半導体のシミュレートした吸収スペクトルを,実験スペクトルと比較した。これらの結果は,目的とする高分子を見出すための,理論的高分子設計の有用性を示唆している。

シソーラス用語： *硫黄複素環化合物 ,  *ドナー-アクセプタ対 ,  *高分子半導体 ,  光学的性質 ,  *導電性 ,  理論 ,  フロンティア軌道 ,  励起エネルギー ,  分布 ,  イオン化ポテンシャル ,  電子親和力 ,  オリゴマ ,  *HMO法 ,  *モデリング ,  *エネルギーギャップ ,  *吸収スペクトル
準シソーラス用語： チオフェン誘導体

分類 (3件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (10件)： チオフェン ,  ドナー ,  アクセプター ,  高分子半導体 ,  光学 ,  導電性 ,  設計 ,  解析 ,  理論 ,  展望