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J-GLOBAL ID：201702269992150853   整理番号：17A1379927

高速ふっ化物イオン伝導体PbSnF_4の機械的合成と構造特性【Powered by NICT】

Mechanical synthesis and structural properties of the fast fluoride-ion conductor PbSnF₄

著者 (8件)： Fujisaki Fumika (Office of Society-Academia Collaboration for Innovation, Kyoto University, Uji, Kyoto 611-0011, Japan) ,  Mori Kazuhiro (Research Reactor Institute, Kyoto University, 2-1010 Asashiro-Nishi, Kumatori-cho, Sennan-gun, Osaka 590-0494, Japan) ,  Yonemura Masao (Institute of Materials Structure Science, High Energy Accelerator Research Organization, 203-1 Shirakata, Tokai, Ibaraki 319-1106, Japan) ,  Ishikawa Yoshihisa (Institute of Materials Structure Science, High Energy Accelerator Research Organization, 203-1 Shirakata, Tokai, Ibaraki 319-1106, Japan) ,  Kamiyama Takashi (Institute of Materials Structure Science, High Energy Accelerator Research Organization, 203-1 Shirakata, Tokai, Ibaraki 319-1106, Japan) ,  Otomo Toshiya (Institute of Materials Structure Science, High Energy Accelerator Research Organization, 203-1 Shirakata, Tokai, Ibaraki 319-1106, Japan) ,  Matsubara Eiichiro (Department of Materials Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto 606-8501, Japan) ,  Fukunaga Toshiharu (Office of Society-Academia Collaboration for Innovation, Kyoto University, Uji, Kyoto 611-0011, Japan)
資料名： Journal of Solid State Chemistry  (Journal of Solid State Chemistry)
巻： 253  ページ： 287-293  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0505A  ISSN： 0022-4596  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フッ化物イオン伝導体,γPbSnF_4,を機械的粉砕により合成した。添加では,βPbSnF_4は473KでγPbSnF_4をエージングにより得られた。βPbSnF_4の電気伝導率は298KでγPbSnF_4のそれよりも相対的に高かった。γ-およびβPbSnF_4の結晶構造解析は,中性子回折データを用いて行った。得られた占有率から,フッ化物イオンはγPbSnF_4におけるF~γ(1)正常部位(62%)とF~γ(2)格子間位置(38%)とβPbSnF_4におけるF~β(1)正常部位(31%),F~β(2)正常部位(25%),及びF~β(3)格子間位置(44%)に位置していた。特に,F格子間サイトでのふっ化物イオンの数はF~γ(2)で44%までが薄くなったγ→β相転移:38%後に増加したF~β(3)であった。空孔(または有効キャリア濃度)へのフッ化物イオンの比はβPbSnF_4中のフッ化物イオンの」F~β(1-)-F~β(3)-F~β(3)-F~β(1)-」伝導経路における最適化された可能性が最も高い。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 結晶構造 ,  結晶構造解析 ,  β相 ,  *構造特性 ,  X線回折 ,  中性子回折 ,  *高速度 ,  キャリア密度 ,  占有率 ,  *フッ化物 ,  最適化 ,  電気伝導率
準シソーラス用語： フッ化物イオン ,  メカニカルミリング ,  *イオン伝導体 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ふっ化物イオン伝導体 ,  結晶構造 ,  メカニカルミリング ,  中性子回折 ,  X線回折

分類 (2件)： その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (2件)： ふっ化物イオン ,  構造特性