文献

J-GLOBAL ID：201702270005272667   整理番号：17A0701000

ZrO_2における反強誘電状ヒステリシスに基づく不揮発性ランダムアクセスメモリとエネルギー貯蔵【Powered by NICT】

Nonvolatile Random Access Memory and Energy Storage Based on Antiferroelectric Like Hysteresis in ZrO₂

著者 (5件)： Pesic Milan (NaMLab gGmbH/TU Dresden, Noethnitzer Str. 64, Dresden, D-01187, Germany) ,  Hoffmann Michael (NaMLab gGmbH/TU Dresden, Noethnitzer Str. 64, Dresden, D-01187, Germany) ,  Richter Claudia (NaMLab gGmbH/TU Dresden, Noethnitzer Str. 64, Dresden, D-01187, Germany) ,  Mikolajick Thomas (NaMLab gGmbH and Institute of Semiconductors and Microsytems, TU Dresden, Noethnitzer Str. 64, Dresden, D-01187, Germany) ,  Schroeder Uwe (NaMLab gGmbH/TU Dresden, Noethnitzer Str. 64, Dresden, D-01187, Germany. [e-mail])
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 26  号： 41  ページ： 7486-7494  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 今日まで外部磁場の除去は脱分極を引き起こし,蓄積された情報の損失をもたらすので反強誘電体不揮発性メモリ要素として考慮されていない。強誘電体と比較して,反強誘電体はその強化された耐疲労性で知られている。それゆえに,この研究の主な目的は,改善されたウェークアップと強化された耐久性をもつ不揮発性材料として反強誘電体の使用を可能にする新しいメモリ素子概念の開発である。最近の研究は,ZrO_2における反強誘電挙動,半導体産業,特にダイナミックランダムアクセスメモリのに広く使用されている材料を示した。新しい概念の基本は内部バイアス場を誘導する異なる仕事関数電極の使用と組合せた反強誘電ヒステリシスがある。この手法を用いて,磁場サイクリング耐久性が大幅に改善した。総合的な材料研究と電気的トラップ分光法を組み合わせたLandau-Ginzburg-Devonshire定式化と共に,新しい反強誘電性ランダムアクセスメモリの概念の証明を提示した。不揮発性ランダムアクセスメモリを実行するため,キャパシタは3D集積版で実現されなければならない。これらの3D統合ZrO_2キャパシタは,エネルギー貯蔵デバイスとしても使用されている,記録的に高いエネルギー貯蔵密度と非常に高いエネルギー効率値を示すことができる。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 記憶素子 ,  *エネルギー貯蔵 ,  エネルギー効率 ,  不揮発性メモリ ,  *ヒステリシス ,  強誘電体 ,  *非揮発性 ,  コンデンサ ,  DRAM ,  *記憶装置 ,  耐久性 ,  *RAM【メモリ】 ,  三次元 ,  バイアス ,  反強誘電体

著者キーワード (4件)： 反強誘電RAM ,  反強誘電性ZrO2 ,  スーパーキャパシタ ,  普遍的メモリ

分類 (2件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

タイトルに関連する用語 (4件)： ヒステリシス ,  不揮発性 ,  ランダムアクセスメモリ ,  エネルギー貯蔵