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J-GLOBAL ID：201702270032627205   整理番号：17A0471248

プラズマ支援分子ビームエピタクシーによるa面サファイア上に成長させたMgの様々の成分によるMg_xZn_1xO層中の歪分布【Powered by NICT】

Strain distribution in Mg_xZn_1-xO layers with various content of Mg grown on a-plane sapphire by plasma-assisted molecular beam epitaxy

著者 (6件)： Wierzbicka A. (Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Aleja Lotnikow 32/46, PL-02668 Warsaw, Poland) ,  Pietrzyk M.A. (Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Aleja Lotnikow 32/46, PL-02668 Warsaw, Poland) ,  Reszka A. (Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Aleja Lotnikow 32/46, PL-02668 Warsaw, Poland) ,  Dyczewski J. (Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Aleja Lotnikow 32/46, PL-02668 Warsaw, Poland) ,  Sajkowski J.M. (Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Aleja Lotnikow 32/46, PL-02668 Warsaw, Poland) ,  Kozanecki A. (Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Aleja Lotnikow 32/46, PL-02668 Warsaw, Poland)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 404  ページ： 28-33  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマ支援分子ビームエピタクシーにより成長させたa面サファイア基板上にMg_xZn_1xO層におけるMg濃度に及ぼす歪分布の依存性を検討した。格子パラメータの正確な決定は,高分解能X線回折法を用いて行った。Mgの濃度はRutherford後方散乱分光分析により明らかにした。これらの結果は,格子パラメータおよびMg濃度の間の非線形関係を示した。Mg_xZn_1xO層におけるMg含有量の増加による歪の漸進的増加を観察し,特にc軸方向にそうであった。に加えてa面サファイア上のエピタキシャル層はc面サファイア上の層に類似した二軸歪。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 分光分析 ,  *サファイア ,  X線回折 ,  格子定数 ,  軸方向 ,  *マグネシウム ,  酸化亜鉛 ,  *プラズマ ,  *歪分布 ,  Rutherford後方散乱 ,  *MBE成長 ,  二軸ひずみ ,  エピタキシャル層 ,  高分解能X線回折 ,  サファイア基板 ,  *鉱石 ,  *宝石

著者キーワード (4件)： X線回折 ,  酸化亜鉛 ,  歪を受ける ,  Mgドーピング

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： プラズマ ,  支援 ,  分子ビームエピタクシー ,  サファイア ,  成長 ,  Mg ,  歪分布