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J-GLOBAL ID：201702270063316902   整理番号：17A1774311

2.56MHzで動作するE級コンバータにおける市販MOSFETパッケージの性能解析【Powered by NICT】

Performance analysis of commercial MOSFET packages in Class E converter operating at 2.56 MHz

著者 (3件)： Nair Unnikrishnan Raveendran (Institut de Robo`tica i Informa`tica Industrial Universitat Polite`cnica de Catalunya, Barcelona, Spain) ,  Munk-Nielsen Stig (Department of Energy Technology, Aalborg University, Aalborg, Denmark) ,  Jorgensen Asger Bjorn (Department of Energy Technology, Aalborg University, Aalborg, Denmark)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EPE’17 ECCE Europe  ページ： P.1-P.9  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭化けい素(SiC)と窒化ガリウム(GaN)を用いて実現した広バンドギャップ(WBG)パワーエレクトロニクスデバイスはパワーエレクトロニクス応用におけるシリコン(Si)対応物を徐々に置き換えている。高いスイッチング速度,Siデバイスの状態抵抗と高温度動作に低下させるとこれらのデバイスの明らかな利点はワイドバンドギャップデバイスに向けてパラダイムシフトを助けた。SiC MOSFETの低ゲート電荷要求はMHz周波数範囲で動作する共振トポロジーを用いた無線周波数(RF)変換器におけるこれらのデバイスの使用を可能にする。様々な工業用途に採用されたRFコンバータは現在真空管を実現した。固体デバイスによる置換真空管はより大きな信頼性を提供した。これは高いスイッチング速度で高電力伝送用電力スイッチを必要とする。これらの仕様で動作する広バンドギャップデバイスは市販されていないとパワーモジュールは,これらの応用のために設計されたカスタムなければならない。本研究では,2.56MHzの周波数で種々の市販MOSFETパッケージの性能を実証した。247とD2Pakパックにおける市販SiC MOSFETは2.56MHzで動作するE級共振形コンバータで試験し,同じ運転条件の下でのDE275無線周波数(RF)パッケージの性能と比較した。結果から推定した設計は,カスタム低電圧SiC RFモジュールの設計に使用でき,最終的に高電圧モジュールの設計に用いることができる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電力 ,  窒化ガリウム ,  *MOSFET ,  高温 ,  スイッチ ,  バンドギャップ ,  ケイ素 ,  *性能分析 ,  炭化ケイ素 ,  周波数 ,  パワーエレクトロニクス ,  真空管 ,  共振
準シソーラス用語： 無線周波数 ,  スイッチング速度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： コンバータ ,  MOSFET ,  パッケージ ,  性能解析