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J-GLOBAL ID：201702270109918620   整理番号：17A1447327

熱アニーリングにより開始された化学蒸着(iCVD)ポリジビニルベンゼン薄膜のぬれ性の安定化【Powered by NICT】

Stabilizing the Wettability of Initiated Chemical Vapor Deposited (iCVD) Polydivinylbenzene Thin Films by Thermal Annealing

著者 (3件)： Zhao Junjie (Department of Chemical Engineering, Massachusetts Institute of Technology, 77 Massachusetts Avenue, Cambridge, MA, 02139, USA) ,  Wang Minghui (Department of Chemical Engineering, Massachusetts Institute of Technology, 77 Massachusetts Avenue, Cambridge, MA, 02139, USA) ,  Gleason Karen K. (Department of Chemical Engineering, Massachusetts Institute of Technology, 77 Massachusetts Avenue, Cambridge, MA, 02139, USA)
資料名： Advanced Materials Interfaces  (Advanced Materials Interfaces)
巻： 4  号： 18  ページ： ROMBUNNO.201700270  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2484A  ISSN： 2196-7350  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 濡れのような,を維持する安定な表面特性を機能性被覆の多くの応用のための課題として残っている。ここではポリジビニルベンゼン(PDVB)の表面特性の安定性に関する研究を報告した。PDVB薄膜を,開始化学蒸着(iCVD)を介して合成した。時間上のiCVD PDVBの接触角ヒステリシスの後退水接触角と増加の減少は空気に曝露中の表面酸化と関係があることが分かった。Fourier変換赤外及びX線光電子分光法は生成カルボニルとエポキシ基と酸化プロセス中のペンダントビニル基の消費を明らかにした。修正一次反応速度動力学モデルは動力学的プロセスを述べ,iCVD PDVBの酸化のための見掛けの反応速度定数は0.0238 0.0294H~( 1)である。酸化を阻害し,iCVD PDVBの濡れ性を安定化するために,その場熱アニーリングプロセスを開発した。熱処理はiCVD PDVBの架橋度を改善し,酸化速度を減速し,従って長期濡れ性を著しく強化することに有効である。焼なましiCVD PDVBの前進および後退接触角は二か月の空気への暴露後にも安定であった。報告された熱アニーリング法もiCVD PDVBの機械的性質を改善する。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *薄膜 ,  X線光電子分光法 ,  機械的性質 ,  反応速度 ,  空気 ,  *濡れ ,  架橋度 ,  カルボニル基 ,  接触角 ,  X線光電子スペクトル ,  表面性状 ,  *化学蒸着 ,  焼なまし ,  酸化
準シソーラス用語： 水接触角 ,  *熱アニーリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 開始化学蒸着 ,  oxidation ,  ポリマ ,  薄膜 ,  水接触角

分類 (2件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  高分子固体のその他の性質  (CG02025L)

タイトルに関連する用語 (6件)： 熱アニーリング ,  化学蒸着 ,  ポリジビニルベンゼン ,  薄膜 ,  ぬれ性 ,  安定化