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J-GLOBAL ID：201702270115433141   整理番号：17A1767240

チタンドープ酸化インジウムの電気,光学,および構造特性に及ぼすTiO₂に対する基板温度と高周波出力の影響

Influence of Substrate Temperature and Radio Frequency Power to TiO₂ on Electrical, Optical and Structure Properties of Titanium Doped Indium Oxide

著者 (3件)： CHA Yu-Jung (Sunchon National Univ., Jeonnam, KOR) ,  LEE Dong Kyu (Sunchon National Univ., Jeonnam, KOR) ,  KWAK Joon Seop (Sunchon National Univ., Jeonnam, KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 17  号： 10  ページ： 7254-7258  発行年： 2017年10月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高周波同時スパッタリング法によって製作されたTi-InO薄膜の電気および光学特性が調べられた。膜はTiO₂ターゲットに対し100から400°Cまでの成長温度と異なるRF出力で蒸着された。膜厚と蒸着割合はそれぞれ310~330とnmと2.6~2.8nmであり,SEMによって測定された。最低抵抗,1.7×10^-4Ω^-1cm^-1はTiO₂ターゲットに対し20W RF出力で,および最も高い移動度は400°Cの成長温度で20W RF出力で製作された。すべての回折ピークは立方晶In₂O₃格子で指数付けされた。薄膜の平均透過率は500-1100nm範囲における波長に対して80%以上であり,薄膜の良好な透明度を示した。FOMは成長温度に依存することが見出された。得られた最大FOMはTiO₂ターゲットに対し15W RF出力で400°Cの成長温度で46191Ω^-1cm^-1であった。それは透明導電薄膜に適した条件であった。その結果,TiO₂ドープIn₂O₃は透明導電膜に対し良好な候補であった。

シソーラス用語： 酸化チタン ,  *酸化インジウム ,  薄膜 ,  電気特性 ,  構造特性 ,  *透明導電膜 ,  スパッタリング ,  基板温度 ,  *光学的性質 ,  透明度
準シソーラス用語： 二酸化チタン

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： チタン ,  ドープ ,  酸化インジウム ,  光学 ,  構造特性 ,  TiO2 ,  基板温度 ,  高周波出力