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J-GLOBAL ID：201702270147842710   整理番号：17A0509849

メモリへの応用のための室温スカーミオンシフトデバイス

Room-Temperature Skyrmion Shift Device for Memory Application

著者 (12件)： YU Guoqiang (Univ. California, California, USA) ,  UPADHYAYA Pramey (Univ. California, California, USA) ,  SHAO Qiming (Univ. California, California, USA) ,  WU Hao (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  YIN Gen (Univ. California, California, USA) ,  LI Xiang (Univ. California, California, USA) ,  HE Congli (Univ. California, California, USA) ,  JIANG Wanjun (Tsinghua Univ., Beijing, CHN) ,  JIANG Wanjun (Collaborative Innovation Center of Quantum Matter, Beijing, CHN) ,  HAN Xiufeng (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  AMIRI Pedram Khalili (Univ. California, California, USA) ,  WANG Kang L. (Univ. California, California, USA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 17  号： 1  ページ： 261-268  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スカーミオンを実用的なメモリデバイスにするには,薄膜中にトポロジー的に保護された情報キャリアを電気的に生成し,操作できる必要がある。本研究では,個々のスカーミオンを制御して生成し,電流誘起スピン軌道トルクによってシフトできる室温メモリデバイスを作った。(1)新しい単一スカーミオンを書き込むか,あるいは,(2)電流パルスの大きさと持続時間の制御により存在するスカーミオンをシフトするかのどちらかのモードを選択できるようにした。

シソーラス用語： *記憶装置 ,  *スキルミオン ,  位相幾何学 ,  スピン-軌道相互作用 ,  電流
準シソーラス用語： *メモリデバイス ,  *スカーミオン ,  トポロジー ,  電流パルス

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (2件)： 応用 ,  室温