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J-GLOBAL ID：201702270152739037   整理番号：17A1604271

NドープRGO/MoSe₂複合材料の水熱合成と強化された電気触媒水素発生

Hydrothermal synthesis of N-doped RGO/MoSe₂ composites and enhanced electro-catalytic hydrogen evolution

著者 (8件)： ZHANG Long (Xi’an Jiaotong Univ., Shaanxi, CHN) ,  SUN Lan (Xi’an Jiaotong Univ., Shaanxi, CHN) ,  HUANG Yuhong (Shaanxi Normal Univ., Shaanxi, CHN) ,  SUN Yunjin (Beijing Univ. Agriculture, Beijing, CHN) ,  HU Tingwei (Xi’an Jiaotong Univ., Shaanxi, CHN) ,  XU Kewei (Xi’an Jiaotong Univ., Shaanxi, CHN) ,  XU Kewei (Xi’an Univ. Arts and Sci., Shaanxi, CHN) ,  MA Fei (Xi’an Jiaotong Univ., Shaanxi, CHN)
資料名： Journal of Materials Science  (Journal of Materials Science)
巻： 52  号： 23  ページ： 13561-13571  発行年： 2017年12月 
JST資料番号： B0722A  ISSN： 0022-2461  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 簡便な二段水熱反応法を用いて,N/C原子%を1.13から5.16at%に変えたNドープRGO(NG)とMoSe₂との複合材料(MoSe₂/NG複合材料)を合成した。XPS,XRD,ラマン分光法,FESEM,HRTEMを用いてその微細構造を調べた。この複合材料は,MoSe₂ナノシートのナノクラスターが折り曲がったNGナノシート上に分散していることが分かった。電気化学的測定結果は,MoSe₂とMoSe₂/RGOに比べ,NGとMoSe₂の相乗効果により水素発生反応の活性度が著しく高いことを示した。低N/C比では,NGとMoSe₂との界面エネルギーバリアは無視でき,電子伝導が重要であり,NG中のキャリア濃度と共にMoSe₂/NG複合材料の活性度が増大する。しかし,高N/C比ではエネルギーバリアがNGからMoSe₂への電子伝導をブロックする。したがって,MoSe₂/NG複合材料の活性度は,中間のN/C比で最高になる。

シソーラス用語： グラフェン ,  酸化物 ,  セレン化物 ,  モリブデン化合物 ,  水熱合成 ,  *電極触媒 ,  *水素発生反応 ,  機能材料 ,  導体材料 ,  *複合材料 ,  ドーピング ,  電気伝導 ,  表面エネルギー ,  ナノシート ,  ナノクラスタ ,  微細構造 ,  添加物効果 ,  還元 ,  窒素 ,  濃度依存性
準シソーラス用語： RGO ,  セレン化モリブデン ,  窒素ドープ ,  電子伝導 ,  導電性複合材料

分類 (1件)： 電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (7件)： ドープ ,  RGO ,  複合材料 ,  水熱合成 ,  強化 ,  触媒 ,  水素発生