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J-GLOBAL ID：201702270184685615   整理番号：17A0222732

(LaAlO₃)_0.3(Sr₂AlTaO₆)_0.7(001)上のコヒーレントに歪んだBiFeO₃と準安定擬正方晶系相の間の可逆転移

Reversible transition between coherently strained BiFeO₃ and the metastable pseudotetragonal phase on (LaAlO₃)_0.3(Sr₂AlTaO₆)_0.7 (001)

著者 (12件)： Fu Z. (Key Lab of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Yin Z. G. (Key Lab of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Zhang X. W. (Key Lab of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Chen N. F. (School of Renewable Energy Engineering, North China Electric Power University, Beijing 102206, China) ,  Zhao Y. J. (Key Lab of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Bai Y. M. (School of Renewable Energy Engineering, North China Electric Power University, Beijing 102206, China) ,  Zhao D. Y. (State Grid Key Laboratory of Power Industrial Chip Design and Analysis Technology, and Beijing Engineering Research Center of High-reliability IC with Power Industrial Grade, Beijing Smart-chip Microelectronics Technology Co., Ltd., Beijing 100192, China) ,  Zhang H. F. (State Grid Key Laboratory of Power Industrial Chip Design and Analysis Technology, and Beijing Engineering Research Center of High-reliability IC with Power Industrial Grade, Beijing Smart-chip Microelectronics Technology Co., Ltd., Beijing 100192, China) ,  Yuan Y. D. (State Grid Key Laboratory of Power Industrial Chip Design and Analysis Technology, and Beijing Engineering Research Center of High-reliability IC with Power Industrial Grade, Beijing Smart-chip Microelectronics Technology Co., Ltd., Beijing 100192, China) ,  Chen Y. N. (State Grid Key Laboratory of Power Industrial Chip Design and Analysis Technology, and Beijing Engineering Research Center of High-reliability IC with Power Industrial Grade, Beijing Smart-chip Microelectronics Technology Co., Ltd., Beijing 100192, China) ,  Wu J. L. (Key Lab of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  You J. B. (Key Lab of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 121  号： 5  ページ： 054102-054102-8  発行年： 2017年02月07日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *アルミン酸塩 ,  *ランタン化合物 ,  *歪 ,  *ビスマス化合物 ,  *フェライト ,  *鉄化合物 ,  *正方晶系 ,  *三斜晶系 ,  格子 ,  依存性 ,  *緩和現象 ,  相境界 ,  *ストロンチウム化合物 ,  *アルミニウム化合物 ,  *タンタル酸塩 ,  *逆変態 ,  層 ,  逆格子 ,  厚み依存性 ,  *三酸化ランタンアルミニウム ,  エピタキシャル層 ,  *ビスマスフェライト
準シソーラス用語： *アルミン酸ランタン ,  エピ層 ,  モルフォトロピック相境界 ,  *可逆的転移 ,  *鉄酸ビスマス

分類 (2件)： 金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  固相転移  (BL04020G)

タイトルに関連する用語 (5件)： LaAlO3 ,  コヒーレント ,  BiFeO3 ,  正方晶系 ,  逆転移