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J-GLOBAL ID:201702270265787334   整理番号:17A1091312

陽極タングステン酸化物層とそれらの光電気化学的活性に及ぼす焼なまし条件の影響【Powered by NICT】

Influence of annealing conditions on anodic tungsten oxide layers and their photoelectrochemical activity
著者 (4件):
資料名:
巻: 231  ページ: 61-68  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0535B  ISSN: 0013-4686  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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非晶質構造をもつナノ多孔質タングステン酸化物膜は陽極酸化プロセスによるフッ化物イオンを含む電解質中で調製した。合成した陽極酸化物層は容易に空気中でのアニーリングによる単斜晶WO_3相に変換することができる。合成及びアニールしたままWO_3層をX線回折,走査電子顕微鏡,及び光電流分光法を用いて調べた。酸化物の形態,結晶構造および電気化学的特性に及ぼすアニール温度とアニール時間の影響を調べた。試料は400から600°Cの温度範囲で空気中でアニールした,酸化物の元の多孔質形態は600°Cでのアニーリング後に完全に失われることが分かった。アニーリングによる平均結晶サイズの変化をXRD測定によって確認した。アニールしたWO_3層の光電気化学性能は,パルスUV照射下で研究し,最高の光電流は,500°Cで2時間アニールした試料に対して350nmの入射光波長で観察された。バンドギャップエネルギー,伝導帯と価電子帯端の位置は,調べたすべての試料について測定した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
分類
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電気化学反応 

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