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J-GLOBAL ID:201702270283525841   整理番号:17A1273377

GaNパワーデバイスと回路シミュレーションのための高速でスケーラブルなアルゴリズムに基づく分散型電気-熱モデル【Powered by NICT】

Distributed electro-thermal model based on fast and scalable algorithm for GaN power devices and circuit simulations
著者 (6件):
資料名:
巻: 2017  号: ISPSD  ページ: 179-182  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,GaN横型パワーデバイスの電気-熱モデリングの新しい概念を提示した。分散モデリングアプローチに基づいて,熱モデルと電気的コンパクトモデルを組合わせた,新しい分散電気-熱モデルを開発した。モデルを文献に記載された代替モデルと比較して計算時間の大幅な低減とともに定常状態と過渡(電力スイッチング)領域の間に分布された電気-熱挙動の詳細な洞察を提供する。モデルはp-GaNデバイスは,標準スイッチング条件下で試験した実験で検証した。モデルにより予測された波形と温度測定値は実験と良い一致を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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半導体集積回路  ,  トランジスタ 
タイトルに関連する用語 (4件):
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