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J-GLOBAL ID：201702270297784901   整理番号：17A1342613

高密度高速不揮発メモリ用電圧制御スピントロニクスメモリ(VoCSM)

Voltage-Control Spintronics Memory (VoCSM) for a High-density and High-speed Non-volatile Memory

著者 (17件)： SHIMOMURA Naoharu (Toshiba Corp., Kanagawa Prefecture, JPN) ,  YODA Hiroaki (Toshiba Corp., Kanagawa Prefecture, JPN) ,  INOKUCHI Tomoaki (Toshiba Corp., Kanagawa Prefecture, JPN) ,  KOI Katsuhiko (Toshiba Corp., Kanagawa Prefecture, JPN) ,  KATO Yushi (Toshiba Corp., Kanagawa Prefecture, JPN) ,  BUYANDALAI Altansargai (Toshiba Corp., Kanagawa Prefecture, JPN) ,  SHIROTORI Satoshi (Toshiba Corp., Kanagawa Prefecture, JPN) ,  KAMIGUCHI Yuuzo (Toshiba Corp., Kanagawa Prefecture, JPN) ,  IKEGAMI Kazutaka (Toshiba Corp., Kanagawa Prefecture, JPN) ,  OIKAWA Soichi (Toshiba Corp., Kanagawa Prefecture, JPN) ,  SUGIYAMA Hideyuki (Toshiba Corp., Kanagawa Prefecture, JPN) ,  SHIMIZU Mariko (Toshiba Corp., Kanagawa Prefecture, JPN) ,  ISHIKAWA Mizue (Toshiba Corp., Kanagawa Prefecture, JPN) ,  AJAY Tiwari (Toshiba Corp., Kanagawa Prefecture, JPN) ,  OHSAWA Yuichi (Toshiba Corp., Kanagawa Prefecture, JPN) ,  SAITO Yoshiaki (Toshiba Corp., Kanagawa Prefecture, JPN) ,  KUROBE Atsushi (Toshiba Corp., Kanagawa Prefecture, JPN)
資料名： 日本磁気学会学術講演概要集  (Abstracts. Annual Conference on Magnetics in Japan)
巻： 41st  ページ： 90  発行年： 2017年09月05日 
JST資料番号： Y0056A  ISSN： 1882-2959  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 電圧制御 ,  *スピントロニクス ,  記憶素子 ,  *不揮発性メモリ ,  RAM【メモリ】 ,  *MRAM ,  トルク
準シソーラス用語： *MRAMデバイス ,  スピントランスファトルク ,  *スピントロニクス素子 ,  メモリ素子 ,  *不揮発メモリ

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  原子の電子構造  (BH02010V) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 不揮発メモリ ,  電圧制御 ,  スピントロニクス