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J-GLOBAL ID：201702270342183376   整理番号：17A1144160

面内整合GaN/AlN接合 単層複合構造,単一および多重量子井戸ならびに量子ドット

In-plane commensurate GaN/AlN junctions: Single-layer composite structures, single and multiple quantum wells and quantum dots

著者 (4件)： ONEN A. (Bilkent Univ., Ankara, TUR) ,  KECIK D. (Bilkent Univ., Ankara, TUR) ,  DURGUN E. (Bilkent Univ., Ankara, TUR) ,  CIRACI S. (Bilkent Univ., Ankara, TUR)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 95  号： 15  ページ： 155435.1-155435.12  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *半導体接合 ,  *窒化ガリウム ,  *窒化アルミニウム ,  薄膜 ,  *多重量子井戸 ,  *量子ドット ,  複合構造 ,  近似法 ,  密度汎関数法 ,  プログラムパッケージ ,  *バンド構造 ,  分子動力学 ,  計算機シミュレーション ,  状態密度
準シソーラス用語： 単層膜 ,  単一量子井戸 ,  PAW法 ,  一般化勾配近似 ,  VASP【計算機プログラム】

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： 整合 ,  GaN ,  AlN ,  単層 ,  複合構造 ,  多重量子井戸 ,  量子ドット