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J-GLOBAL ID：201702270520894538   整理番号：17A1501810

単一原子Cu_1/グラフェン触媒上でのメタノールの酸化的カルボニル化による炭酸ジメチル合成の密度汎関数理論研究【Powered by NICT】

Density-functional theory study of dimethyl carbonate synthesis by methanol oxidative carbonylation on single-atom Cu₁/graphene catalyst

著者 (8件)： Sun Wei (Key Laboratory of Coal Science and Technology (Taiyuan University of Technology), Ministry of Education and Shanxi Province, No. 79 Yingze West Street, Taiyuan 030024, China) ,  Shi Ruina (Key Laboratory of Coal Science and Technology (Taiyuan University of Technology), Ministry of Education and Shanxi Province, No. 79 Yingze West Street, Taiyuan 030024, China) ,  Wang Xuhui (Key Laboratory of Coal Science and Technology (Taiyuan University of Technology), Ministry of Education and Shanxi Province, No. 79 Yingze West Street, Taiyuan 030024, China) ,  Liu Shusen (Key Laboratory of Coal Science and Technology (Taiyuan University of Technology), Ministry of Education and Shanxi Province, No. 79 Yingze West Street, Taiyuan 030024, China) ,  Han Xiaoxia (College of Information Engineering, Taiyuan University of Technology, No. 79 Yingze West Street, Taiyuan 030024, China) ,  Zhao Chaofan (College of Information Engineering, Taiyuan University of Technology, No. 79 Yingze West Street, Taiyuan 030024, China) ,  Li Zhong (Key Laboratory of Coal Science and Technology (Taiyuan University of Technology), Ministry of Education and Shanxi Province, No. 79 Yingze West Street, Taiyuan 030024, China) ,  Ren Jun (Key Laboratory of Coal Science and Technology (Taiyuan University of Technology), Ministry of Education and Shanxi Province, No. 79 Yingze West Street, Taiyuan 030024, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 425  ページ： 291-300  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一原子Cu_1/グラフェン触媒上でのメタノールの酸化カルボニル化による炭酸ジメチル(DMC)合成の機構を密度汎関数理論計算により調べた。グラフェン中の炭素空孔はCu原子とグラフェン支持体の間に相互作用を有意に増強することができると,グラフェンシートへのCu原子からの電子の増加した移動を提供した。Cuドープ二空格子点グラフェン(Cu/DG)と比較して,Cuをドープした単一空格子点グラフェン(Cu/MG)は吸着剤と触媒表面間の強い相互作用を提供する。Cu_1/グラフェン触媒上での反応過程の中で,メトキシドへのCO挿入したジメトキシドよりもより有利である。Cu/DG表面上の律速段階はメトキシドとカルボメトキシド反応,164.6kJmol~ 1による発熱であり,190.9kJmol~ 1エネルギーの活性化障壁を持っている。Cu結晶表面,Cu_4とCu_3Rhクラスタ,Cu_2O(111)表面上のそれと比較して,メトキシドへのCO挿入であるCu/MGにDMC生成の律速段階は73.5kJmol~ 1の最低障壁を克服する必要があると及び44.6kJmol~ 1による発熱反応であった。Cu/MGは単一原子触媒としてDMCの形成に有益であった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： クラスタ ,  ドーピング ,  *密度汎関数法 ,  律速 ,  炭素 ,  吸着剤 ,  *酸化 ,  *グラフェン ,  *銅 ,  *カルボニル化 ,  *触媒 ,  脂肪族アルコール
準シソーラス用語： 活性化障壁 ,  *単一原子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 単一原子触媒 ,  Cuドープグラフェン ,  空格子点 ,  炭酸ジメチル

分類 (3件)： 不均一系触媒反応  (CB06100E) ,  その他の触媒  (CB06123Z) ,  酸化,還元  (CF02060T)

物質索引 (2件)： 炭酸ジメチル ,  メタノール

タイトルに関連する用語 (8件)： 単一原子 ,  グラフェン ,  触媒 ,  メタノール ,  酸化的カルボニル化 ,  炭酸ジメチル ,  密度汎関数理論 ,  研究