抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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本稿では,半導体製造分野に適したパターン形成方法について報告する。特に,酸の作用により極性が変化する樹脂を含有するフォトレジスト組成物と,現像液,洗浄液,リンス液などの処理液に関する。また,処理液の製造方法についても報告する。本稿にて報告するパターン形成方法は,ArF,KrF,EUV,及び,電子線等の種々の露光に対応したフォトレジスト膜等の半導体製造用材料に広く適用可能である。(著者抄録)