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J-GLOBAL ID：201702270554674319   整理番号：17A1716189

圧力下のAlSbの擬ポテンシャル計算【Powered by NICT】

Pseudopotential calculations of AlSb under pressure

著者 (6件)： Algarni H. (Department of Physics, Faculty of Science, King Khalid University, P. O. Box 9004, Abha 61413, Saudi Arabia) ,  Algarni H. (Research Center for Advanced Materials Science (RCAMS), King Khalid University, P. O. Box 9004, Abha 61413, Saudi Arabia) ,  Al-Hagan O.A. (Department of Physics, Faculty of Science, King Khalid University, P. O. Box 9004, Abha 61413, Saudi Arabia) ,  Bouarissa N. (Laboratory of Materials Physics and Its Applications, University of M’sila, 28000 M’sila, Algeria) ,  Khan M.A. (Department of Physics, Faculty of Science, King Khalid University, P. O. Box 9004, Abha 61413, Saudi Arabia) ,  Alhuwaymel T.F. (National Centre for Nanotechnology, King Abdulaziz City for Science and Technology (KACST), P. O. Box 6086, Riyadh 11442, Saudi Arabia)
資料名： Spectrochimica Acta. Part A. Molecular and Biomolecular Spectroscopy  (Spectrochimica Acta. Part A. Molecular and Biomolecular Spectroscopy)
巻： 190  ページ： 215-219  発行年： 2018年 
JST資料番号： E0128B  ISSN： 1386-1425  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 020kbarの圧力範囲で閃亜鉛鉱型AlSb半導体材料の電子的および光学的特性の静水圧依存性を,擬ポテンシャルアプローチを用いて報告されている。零圧力では,著者らの知見は,電子と重い正孔の有効質量は0.11と0.38m_0であった。さらに,著者らの結果は,屈折率と高周波誘電定数3.3289と11.08の値を得た。これらの結果は,実験と良く一致することが分かった。圧縮で,関心のあるすべての物理的パラメータは単調な挙動を示した。バンドギャップに関連した光学遷移の圧力誘起エネルギーシフトは,AlSbは0から20kbarまでの圧力下における間接的(Γ X)バンドギャップ半導体であることを示した。対圧力の全ての特徴の傾向を示し,考察した。圧力は0から20kbarまで上げたとき格子定数は0.61355から0.60705nmに減少することが分かった。本研究では,中赤外レーザ応用検出器と通信機器に有用である可能性がある。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 屈折率 ,  静水圧 ,  有効質量 ,  通信装置 ,  誘電率 ,  格子定数 ,  光学的性質 ,  *バンドギャップ ,  半導体材料 ,  閃亜鉛鉱 ,  半導体
準シソーラス用語： 中赤外レーザ ,  光学遷移 ,  重い正孔 ,  *擬ポテンシャル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 圧力 ,  電子構造 ,  光学的性質 ,  AlSb ,  擬ポテンシャル

分類 (2件)： 無機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル  (BM08063C) ,  固相転移  (BL04020G)

タイトルに関連する用語 (2件)： 擬ポテンシャル ,  計算