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J-GLOBAL ID：201702270566194860   整理番号：17A1447375

高kスペーサ構造を用いた抵抗ランダムアクセスメモリの成形電圧のスケーリング問題を解決する【Powered by NICT】

Solving the Scaling Issue of Increasing Forming Voltage in Resistive Random Access Memory Using High-k Spacer Structure

著者 (13件)： Tseng Yi-Ting (Department of Physics, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, 804, Taiwan R. O. C.) ,  Chen Po-Hsun (Department of Physics, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, 804, Taiwan R. O. C.) ,  Chang Ting-Chang (Department of Physics, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, 804, Taiwan R. O. C.) ,  Chang Kuan-Chang (School of Electronic and Computer Engineering, Peking University, Shenzhen, 518055, China) ,  Tsai Tsung-Ming (Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, 804, Taiwan R. O. C.) ,  Shih Chih-Cheng (Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, 804, Taiwan R. O. C.) ,  Huang Hui-Chun (Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, 804, Taiwan R. O. C.) ,  Yang Cheng-Chi (Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, 804, Taiwan R. O. C.) ,  Lin Chih-Yang (Department of Physics, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, 804, Taiwan R. O. C.) ,  Wu Cheng-Hsien (Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, 804, Taiwan R. O. C.) ,  Zheng Hao-Xuan (Department of Physics, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, 804, Taiwan R. O. C.) ,  Zhang Shengdong (School of Electronic and Computer Engineering, Peking University, Shenzhen, 518055, China) ,  Sze Simon M. (Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, 300, Taiwan R. O. C.)
資料名： Advanced Electronic Materials  (Advanced Electronic Materials)
巻： 3  号： 9  ページ： ROMBUNNO.201700171  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2482A  ISSN： 2199-160X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)素子セルスケールダウン中の上昇フォーミング電圧問題は側壁スペーサ構造としての新しい高誘電率(高k)材料を導入し,通常使用されている低誘電率(低k)材料とは異なりにより解いた。COMSOL Multiphysicsソフトウェア結果に基づいてシミュレートされた電場は,電場を効果的に高kスペーサを持つRRAMデバイスを示唆した。この閉じ込められた電場の効果は顕著である,素子セルを縮小した。デバイス製作プロセスでは高k側壁を組み込むために修正した。断面透過型電子顕微鏡画像は二つの異なる装置におけるスペーサ構造としてSiO_2とHfO_2の存在を確認した。1~0.16μm~2~形成電圧の電気的測定は,効果を検証した。統計的測定は側壁として高k材料とデバイスのフォーミング電圧は素子セルサイズの減少と共に増加しないことを確認した。高k側壁デバイスの耐久性と保持を含む信頼性試験は,非常に安定な抵抗スイッチング特性を示した。結果として,提案した構造は,デバイス信頼性へのコストなしRRAMにおける小デバイスセル内で形成した電圧問題を解決することに成功した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電圧 ,  ソフトウェア ,  信頼性 ,  画像 ,  泡立ち ,  耐久性 ,  *スペーサ ,  電気測定 ,  信頼性試験 ,  電場 ,  生産工程
準シソーラス用語： 抵抗スイッチング ,  高誘電率材料 ,  COMSOL ,  *ReRAM , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： デバイススケーリング ,  成形電圧 ,  抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM) ,  スペーサ構造

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： スペーサ ,  抵抗ランダムアクセスメモリ ,  スケーリング