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J-GLOBAL ID：201702270614403210   整理番号：17A0825951

94での6.5mm GHzを超える記録電力密度を持つN極性GaNキャップMISHEMT【Powered by NICT】

N-Polar GaN Cap MISHEMT With Record Power Density Exceeding 6.5 W/mm at 94 GHz

著者 (9件)： Wienecke Steven (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA) ,  Romanczyk Brian (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA) ,  Guidry Matthew (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA) ,  Li Haoran (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA) ,  Ahmadi Elaheh (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA) ,  Hestroffer Karine (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA) ,  Zheng Xun (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA) ,  Keller Stacia (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA) ,  Mishra Umesh K. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 3  ページ： 359-362  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 94GHzで14.4%の電力付加効率をもつ記録pH6.7W/mmパワー密度を示す新しいN極性GaNキャップ(MIS)高電子移動度トランジスタを提示した。最先端の電力性能を同時に分散を軽減し,アクセス領域導電率を改善する,47.5nmその場GaNキャップ層と組み合わせたN極性GaNの固有分極場を利用することにより可能になった。これらの優れた結果は,還元された自己加熱のための基板にサファイアから最適化された素子寸法と遷移を用いた過去の研究を構築した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 分極 ,  電力付加効率 ,  電気伝導率 ,  *HEMT ,  *極性 ,  サファイア ,  *窒化ガリウム ,  最適化 ,  *電力
準シソーラス用語： 自己加熱 ,  キャップ層 ,  *電力密度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： GHz ,  電力密度 ,  極性 ,  GaN ,  キャップ