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J-GLOBAL ID：201702270641707547   整理番号：17A0451625

Zn拡散GaAsにおけるAs空孔複合体:陽電子寿命分光法による研究【Powered by NICT】

As-vacancy complex in Zn-diffused GaAs: Positron lifetime spectroscopy study

著者 (3件)： Elsayed M. (Department of Physics, Martin Luther University Halle, 06099 Halle, Germany) ,  Elsayed M. (Department of Physics, Faculty of Science, Minia University, 61519 Minia, Egypt) ,  Krause-Rehberg R. (Department of Physics, Martin Luther University Halle, 06099 Halle, Germany)
資料名： Scripta Materialia  (Scripta Materialia)
巻： 131  ページ： 72-75  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0915A  ISSN： 1359-6462  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 陽電子消滅寿命分光法を用いて,半絶縁性GaAs中のZn拡散で形成された点欠陥を研究するために適用した。拡散は異なるので蒸気圧下で950°Cで種々の時間試料をアニールすることにより行った。深いおよび浅い陽電子トラップは寿命分光法で観察した。Znアクセプタは浅いトラップとして作用すると仮定した。As空格子点およびZn原子を含む複合体は深い陽電子トラップであることが示唆された。As空格子点複合体の観察は点欠陥の熱力学の質量作用の法則を適用したAs蒸気圧の影響を研究することによって明らかにした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *陽電子 ,  *ヒ化ガリウム ,  アクセプタ ,  *複合体 ,  点欠陥 ,  *ヒ素 ,  蒸気圧 ,  *亜鉛 ,  熱力学
準シソーラス用語： 質量作用の法則 ,  半絶縁性 ,  陽電子消滅分光法 ,  *陽電子寿命 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 陽電子消滅分光法 ,  点欠陥 ,  拡散 ,  化合物半導体

分類 (1件)： 金属の格子欠陥  (BK12030F)

タイトルに関連する用語 (8件)： Zn ,  拡散 ,  GaAs ,  空孔 ,  複合体 ,  陽電子寿命 ,  分光法 ,  研究