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J-GLOBAL ID：201702270646122320   整理番号：17A1257012

低k誘電体TDDB測定におけるパーコレーション経路成長を考慮した【Powered by NICT】

Considering percolation path growth in low-k dielectric TDDB measurements

著者 (4件)： Wu C. (Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Li Y. (Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Tokei Zs. (Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Croes K. (Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IITC  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： TDDB測定の間の低-k誘電体の破壊時間は,パーコレーション経路形成の時間とパーコレーション経路成長の時間から構成されている。しかし,従来の高電圧TDDB試験の間,パーコレーション経路成長は局所応力により人為的に増強された。専用のテストビークル,いわゆるpキャップ,ダマシン試料を用いて,制御された実験を用いて,定電流および定電圧応力手法を用いて,パーコレーション経路成長特性の理解とパーコレーション経路成長時間の定量化に焦点を当てた。経路成長時間は低k誘電体における元の欠陥密度により影響されないので,温度と誘電体の厚さによる影響はほとんどないことを示した。パーコレーション経路成長時間は試験した全ての試料の操作条件で10年を通過した。は,ある特定の状況では,この時間は低k誘電体TDDBの余分な信頼性マージンとして役立つことができることを示した。しかし,多重パーコレーション経路が同時に成長するときこのマージンは減少すると考えられる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 信頼性 ,  *誘電体 ,  多重化 ,  欠陥密度 ,  電流 ,  電圧 ,  *パーコレーション
準シソーラス用語： 操作条件 ,  ダマシン ,  テストビークル ,  局部応力 ,  破壊時間 ,  *TDDB ,  *低k誘電体 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 低k誘電体 ,  TDDB ,  パーコレーション ,  経路 ,  成長