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J-GLOBAL ID：201702270650388456   整理番号：17A0875323

MTJにおける面外グラフェン絶縁障壁を用いたTMRとスピンろ過を強化【Powered by NICT】

Enhancing TMR and spin-filtration by using out-of-plane graphene insulating barrier in MTJs

著者 (2件)： Meena Shweta (National Institute of Technology, Kurukshetra, India. [e-mail] [e-mail]) ,  Choudhary Sudhanshu
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 19  号： 27  ページ： 17765-17772  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二CrO_2半金属強磁性(HMF)電極との間に障壁として面外グラフェンシートから成る磁気トンネル接合(MTJ)におけるスピン分極輸送を理解するために行った第一原理研究。過去に報告された面内グラフェンベースMTJsの結果との比較により,Fermi準位近傍の透過状態ではないので,面外構造は~100%の高いTMRを提供し,輸送現象はトンネリングであることが観察された。しかし,面内構造では,Fermi準位近傍の透過状態のかなりの数である輸送現象はトンネリングできず,~90%の高い磁気抵抗(MR)が観測された。TMRとスピン注入効率η(スピンろ過)の両方は,面内構造,面外構造における完全な障壁として作用するグラフェンシート,平行配置(PC)と逆平行配置(APC)の両方で無視できるスピンダウン電流(I↓)をもたらすに起因すると比較して面外構造の方が高かった。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *トンネル接合 ,  *グラフェン ,  *酸化クロム ,  磁気抵抗 ,  ab initio法 ,  スピン分極 ,  *輸送現象 ,  Fermi準位 ,  半金属 ,  強磁性体
準シソーラス用語： *磁気トンネル接合 ,  *グラフェンシート ,  第一原理計算 ,  スピンフィルタリング ,  *スピン分極輸送 ,  強磁性電極

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  固-固界面  (CB12060M)

タイトルに関連する用語 (8件)： MTJ ,  グラフェン ,  絶縁 ,  障壁 ,  TMR ,  スピン ,  ろ過 ,  強化