文献

J-GLOBAL ID：201702270726003931   整理番号：17A0128569

磁性酸化物半導体を用いたスピン偏極電界効果トランジスタの開発

著者 (1件)： 長浜太郎 (北大)
資料名： 村田学術振興財団年報  (Annual Report of the Murata Science Foundation)
号： 30-2  ページ： 292-297  発行年： 2016年12月 
JST資料番号： L5491A  ISSN： 0919-3383  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： スピン偏極FET用の材料開発研究の成果について報告した。良好な磁気特性を有するスピネルフェライトをスピントロニクス材料として活用するため,電気伝導性の付与について研究した。CoFe₂O₄の製膜時に酸素分圧を制御して膜中に酸素欠陥を導入し,絶縁体の半導体化を行った。それによって,特性を失うことなく電気伝導性を制御できることがわかった。また,Sn_1-xFe_3-xO₄についても,Sn組成により電気伝導性を制御できた。

シソーラス用語： *スピントロニクス ,  機能素子 ,  *フェライト ,  コバルト化合物 ,  スズ化合物 ,  磁気的性質 ,  電気伝導率 ,  空孔欠陥 ,  格子欠陥
準シソーラス用語： 欠陥形成

分類 (2件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 磁性 ,  酸化物半導体 ,  スピン偏極 ,  電界効果トランジスタ ,  開発