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J-GLOBAL ID:201702270784107112   整理番号:17A0453537

制御された原子移動ラジカル脱離過程におけるCu(0)と媒介C-F活性化による挿入-CH=CHへのP(VDF TrFE)【Powered by NICT】

Inserting -CH=CH- into P(VDF-TrFE) by C-F activation mediated with Cu(0) in a controlled atom transfer radical elimination process
著者 (4件):
資料名:
巻:号: 11  ページ: 1840-1849  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2349A  ISSN: 1759-9954  CODEN: PCOHC2  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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ポリ(フッ化ビニリデン)(PVDF)ベースのふっ素化重合体の化学的官能化は,ふっ素化重合体の応用分野を拡張するために経済的で便利な戦略である。官能化ツールボックスを豊かにするために,本論文で制御された単電子移動ラジカル脱離(SET RE)反応は,ポリ(フッ化ビニリデン-co-フルオリド-トリフルオロエチレン)(P(VDF TrFE)),ポリ(フッ化ビニリデン-co-フルオリド-クロロトリフルオロエチレン)の完全な水素化(P(VDF CTFE))により合成したにCH=CH結合を導入する開発に成功した。このSET REプロセスにおいて,TrFEsにおけるC-F結合を直接Cu(0)と2,2′-ビピリジン(Bpy)により活性化されたCF_2CH*を生成し,続いて制御されたβ-H脱離による脱ふっ化水素を完成した。除去と反応機構の高い選択性は,生成した共重合体の化学組成によって確認された。反応速度論の結果から,反応速度はTrFE単位の濃度に関して一次とSET REは精密に調節された過程であることを示した。,温度,反応時間,Cu(0)とBpyの用量,濃度,溶媒を含む反応条件を反応と得られた共重合体への影響を示した。CH=CHの導入は結晶化度の低下と上昇したP(VDF TrFE)の常誘電転移温度強磁性に変化する。C-F結合を直接活性化してその後の官能化のためのフッ素化重合体への反応性CH=CHを導入するためのロバストな制御された化学的ツールを提供する。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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共重合 

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