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J-GLOBAL ID：201702270854813814   整理番号：17A0964607

小型2によるスロット型電磁バンドギャップ構造【Powered by NICT】

A Compact Two Via Slot-Type Electromagnetic Bandgap Structure

著者 (3件)： Bhavarthe Pramod P. (Sardar Patel Institute of Technology, Mumbai, India) ,  Rathod Surendra S. (Sardar Patel Institute of Technology, Mumbai, India) ,  Reddy Kuraparthi T. V. (Pranveer Singh Institute of Technology, Kanpur, India)
資料名： IEEE Microwave and Wireless Components Letters  (IEEE Microwave and Wireless Components Letters)
巻： 27  号： 5  ページ： 446-448  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0099A  ISSN： 1531-1309  CODEN： IMWCBJ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スロット型電磁バンドギャップ(TVS EBG)構造による新規二は本論文で提示した。T VS E BG構造の設計と解析は,LC解析モデルを用いて行った。EBG(CLV EBG)とE BG(ELV EBG)構造を介して局在エッジを介して局在中心では,ビアを流れる電流はインダクタ(L)を与え,隣接セル間のギャップは静電容量(C)を与えた。LC分析モデルから,小型E BG構造を設計するために,LCの積は高くなければならない。T VS E BG構造をセルとグランド面の方形パッチの間を介して細胞の方形パッチと二上のスロットを作ることによりCおよびL単位当たりE BGセルの値を増加させた。T VS E BG構造AnsoftH FSSを用いてシミュレートし,試験した。シミュレーションと実験の結果は,CLV E BG,相補スプリットリング共振器に基づくE BG,ELV E BGと比較して,達成した35.29%,17.20%,および13.48%のサイズ減少ことを証明した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 静電容量 ,  解析モデル ,  *ビール ,  電流
準シソーラス用語： スプリットリング共振器 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： アンテナ  (ND06000M) ,  フィルタ一般  (NC04021I)

タイトルに関連する用語 (2件)： スロット ,  電磁バンドギャップ