文献

J-GLOBAL ID：201702270878400046   整理番号：17A0502810

硫化亜鉛薄膜の光学的性質に及ぼす高速熱アニーリングの影響

Effect of rapid thermal annealing on optical properties of zinc sulphide thin films

著者 (3件)： KUMAR H. (Univ. Rajasthan, Jaipur, IND) ,  RAM P. (Univ. Rajasthan, Jaipur, IND) ,  SINGH M. (Univ. Rajasthan, Jaipur, IND)
資料名： Surface Engineering  (Surface Engineering)
巻： 33  号： 3/4  ページ： 181-185  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： A0614C  ISSN： 0267-0844  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 硫化亜鉛(ZnS)は,太陽電池やオプトエレクトロニクスなどに用いられるII-VI化合物半導体である。ZnS薄膜を作製するため,いくつかの方法が使用されている。本研究では,熱蒸発(TE)法によりZnS薄膜を作製し,500Wハロゲンランプを用いて石英ガラス管内で30sおよび60sの高速熱アニーリングを施し,微細組織,光学的性質,熱起電力などを評価した。真空中TE法により,立方晶構造のZnS膜の作製に成功した。熱起電力測定から,ZnS膜はn型であり,温度の上昇と共に熱起電力が増加することが分かった。作製した膜は3.48~3.08eVのワイドエネルギーバンドギャップを示し,そのため,太陽電池のウィンドウ層用材料として有望である。

シソーラス用語： *太陽電池 ,  半導体薄膜 ,  *硫化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  窓 ,  *熱処理 ,  ハロゲン電球 ,  急速加熱 ,  微細構造 ,  結晶構造 ,  立方晶系 ,  *光学的性質 ,  バンドギャップ ,  *熱起電力 ,  真空蒸着 ,  蒸着膜 ,  紫外可視吸収スペクトル ,  X線回折分析 ,  光学定数 ,  電子顕微鏡観察
準シソーラス用語： 薄膜太陽電池 ,  II-VI化合物半導体 ,  ウインドウ ,  熱アニーリング ,  ハロゲンランプ ,  高速加熱 ,  微細組織 ,  ワイドバンドギャップ ,  消衰係数 ,  走査電子顕微鏡法

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 硫化亜鉛 ,  薄膜 ,  光学的性質 ,  高速熱アニーリング