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J-GLOBAL ID：201702270960104737   整理番号：17A1649743

ZnOナノロッドに基づくMIS蒸気センサデバイスの定量的等価回路モデリング【Powered by NICT】

Quantitative equivalent circuit modeling of ZnO nanorod based MIS vapor sensor device

著者 (4件)： Dutta Koushik (Department of Electronics and Telecommunication Engineering, Indian Institute of Engineering Science and Technology (IIEST), Shibpur, Howrah-711103, India) ,  Saini Aman Kumar (Department of Electronics and Telecommunication Engineering, Indian Institute of Engineering Science and Technology (IIEST), Shibpur, Howrah-711103, India) ,  Roychaudhuri Rajarshi (Department of Electronics and Telecommunication Engineering, Indian Institute of Engineering Science and Technology (IIEST), Shibpur, Howrah-711103, India) ,  Bhattacharyya Partha (Department of Electronics and Telecommunication Engineering, Indian Institute of Engineering Science and Technology (IIEST), Shibpur, Howrah-711103, India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IEMENTech  ページ： 1-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： インピーダンス(|Z|)及び相(φ)測定により,2 プロパノールセンシングのための,Pd/ZnO nanorod/Siベース金属-絶縁体-半導体(MIS)素子では,等価回路の定量的解析を本論文で提示した。MIS素子のインピーダンスと位相を空気及び50ppm2 プロパノールで測定し,対応する等価回路をCole-Cole(虚数インピーダンス対現実インピーダンス)プロットから得られた。等価回路は素子の物理的側面を相関させ,Cole-Coleプロットの解析を通して定量化した。等価回路(全負のリアクタンスを)の静電容量は二種類の雰囲気で得られ,結果は実験結果(直接静電容量測定)で検証し,両者は許容誤差限界内であることが分かった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 定量的分析 ,  虚数 ,  インピーダンス ,  半導体 ,  *等価回路 ,  絶縁体 ,  *モデリング ,  公差 ,  位相 ,  リアクタンス ,  地金 ,  静電容量
準シソーラス用語： キャパシタンス測定 ,  MIS素子 ,  *センサデバイス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (7件)： ZnOナノロッド ,  MIS ,  蒸気 ,  センサデバイス ,  定量 ,  等価回路 ,  モデリング